[发明专利]半导体封装装置

说明书

本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：基板；第一芯片，设置于基板上，主动面设置有第一延伸线路，第一延伸线路延伸至第一芯片主动面的边缘；第二芯片，设置于基板上，主动面设置有第二延伸线路，第二延伸线路延伸至第二芯片主动面的边缘，第二芯片与第一芯片之间设置有间隙；桥接模块，设置于间隙，并电连接第一延伸线路和第二延伸线路；以提高第一芯片与第二芯片之间电连接对接的精准度。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置。

背景技术

目前固晶(Die Bonding，DB)焊接晶片精准度(Bonding Accuracy)为3微米，并且需要使用电耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)定位设备，若将来DB更细的线路，例如2微米以下线路时，则面临精准度挑战。例如目前衬底上扇出芯片结构中，DB桥接芯片时若桥接芯片位移大于3微米时，将造成后续制作重布线层细线路时面临芯片无法对准的问题。

发明内容

第一方面，本公开实施例提供一种半导体封装装置，包括：

基板；

第一芯片，设置于所述基板上，主动面设置有第一延伸线路，所述第一延伸线路延伸至所述第一芯片主动面的边缘；

第二芯片，设置于所述基板上，主动面设置有第二延伸线路，所述第二延伸线路延伸至所述第二芯片主动面的边缘，所述第二芯片与所述第一芯片之间设置有间隙；

桥接模块，设置于所述间隙，并电连接所述第一延伸线路和所述第二延伸线路。

在一些可选的实施方式中，所述桥接模块包括桥接线路及对应所述第一芯片设置的第一引导壁和对应所述第二芯片设置的第二引导壁，所述桥接线路至少部分设置于所述第一引导壁和所述第二引导壁并分别电连接所述第一延伸线路和所述第二延伸线路。

在一些可选的实施方式中，设置于所述第一引导壁和所述第二引导壁的所述桥接线路至少部分在所述第一延伸线路和所述第二延伸线路上方露出。

在一些可选的实施方式中，所述桥接模块包括相对所述基板设置的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面的面积小于所述第二表面的面积。

在一些可选的实施方式中，所述第一引导壁和所述第二引导壁之间的距离从所述第二表面向所述第一表面逐渐缩小。

在一些可选的实施方式中，所述桥接线路包括焊接材料。

在一些可选的实施方式中，所述第一引导壁与所述第一芯片主动面的夹角大于30度且小于80度，所述第二引导壁与所述第二芯片主动面的夹角大于30度且小于80度。

在一些可选的实施方式中，所述桥接模块与所述基板之间具有空隙。

在一些可选的实施方式中，所述桥接模块从所述第一延伸线路所在平面向所述基板延伸的长度小于所述第一芯片或所述第二芯片的高度。

在一些可选的实施方式中，所述桥接模块位于所述第二延伸线路所在平面和所述基板之间部分的高度小于所述第二芯片的高度。

在一些可选的实施方式中，所述桥接模块包括支撑结构。

在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：

线路层，设置于所述基板上，所述第一芯片、所述第二芯片及所述桥接模块设置于所述线路层内。

在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：

电连接件，设置于所述线路层上。

第二方面，本公开实施例提供一种半导体封装装置的制造方法，包括：

提供第一芯片和第二芯片；