[发明专利]一种半导体表面平坦化的方法及制得的半导体和用途在审
| 申请号： | 202110966860.0 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113611663A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄清波;周雪梅;翁杰;潘代强 | 申请（专利权）人： | 上海芯物科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘二艳 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 平坦 方法 用途 | ||
1.一种半导体表面平坦化的方法，其特征在于，所述方法包括：
在半导体至少两层互连结构的第n段制造工艺中，覆盖第n段初始介质层后，所述第n段初始介质层先经厚度方向上的平坦化处理，得到第n段介质层，再进行后续工序；
所述第n段初始介质层的厚度大于第n段介质层的厚度，n≥2。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第n段初始介质层的厚度大于第1段制造工艺中第1段介质层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第n段介质层的厚度等于第1段制造工艺中第1段介质层的厚度。
4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述第n段初始介质层的表面含有蝶形凹陷。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第n段初始介质层的厚度比第n段介质层的厚度多出的厚度值大于所述蝶形凹陷的深度值。
6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述第n段初始介质层的厚度比第n段介质层的厚度多2000～3000A。
7.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，在第n段制造工艺中，所述后续工序依次包括覆盖蚀刻阻挡层、光刻、蚀刻、覆盖阻挡层、覆盖金属层和抛光；
优选地，所述抛光包括化学机械抛光。
8.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，所述制造工艺包括大马士革制造工艺。
9.一种半导体，其特征在于，所述半导体根据权利要求1～8任一项所述的半导体表面平坦化的方法制得；
优选地，所述半导体为晶圆。
10.一种根据权利要求9所述的半导体在集成电路中的用途。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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