[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上并与其接触的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有导电性并用作电极；

与具有导电性的所述氧化物半导体膜接触的第一导电膜；以及

在所述氧化物半导体膜和所述第一导电膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜与所述氧化物半导体膜的侧面、所述第一导电膜的侧面、所述氧化物半导体膜的顶面和所述第一导电膜的顶面接触，

其中，所述氧化物半导体膜的导电性在所述氧化物半导体膜的端部区域和所述氧化物半导体膜的中间区域是相同的，

所述第一导电膜包括Cu-X合金膜，

X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti，

并且，具有导电性的所述氧化物半导体膜的氢浓度高于或等于8×10¹⁹atoms/cm³。

2.一种半导体装置，包括：

第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上并与其接触的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有导电性并用作布线；

与具有导电性的所述氧化物半导体膜接触的第一导电膜；以及

在所述氧化物半导体膜和所述第一导电膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜与所述氧化物半导体膜的侧面、所述第一导电膜的侧面、所述氧化物半导体膜的顶面和所述第一导电膜的顶面接触，

其中，所述氧化物半导体膜的导电性在所述氧化物半导体膜的端部区域和所述氧化物半导体膜的中间区域是相同的，

所述第一导电膜包括Cu-X合金膜，

X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti，

并且，具有导电性的所述氧化物半导体膜的氢浓度高于或等于8×10¹⁹atoms/cm³。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述第一导电膜包括Cu-Mn合金膜，

并且所述氧化物半导体膜延伸超出所述第一导电膜的端部。

4.一种半导体装置，包括：

第一绝缘膜；

具有导电性并用作电极或布线的氧化物半导体膜；

在具有导电性的所述氧化物半导体膜上的第一导电膜；以及

与所述氧化物半导体膜和所述第一导电膜接触并覆盖所述氧化物半导体膜和所述第一导电膜的第二绝缘膜，

其中，在截面图中，所述第二绝缘膜不包括与所述氧化物半导体膜或所述第一导电膜接触的开口，

所述第一导电膜包括Cu-Mn合金膜和在所述Cu-Mn合金膜上的Cu膜，

所述第一导电膜的外周被包括氧化锰的膜覆盖，

所述包括氧化锰的膜与具有导电性的所述氧化物半导体膜、所述Cu-Mn合金膜及所述Cu膜接触，

并且，所述氧化物半导体膜的所有部分的氢浓度高于或等于8×10¹⁹atoms/cm³。

5.根据权利要求1、2或4所述的半导体装置，

其中具有导电性的所述氧化物半导体膜的电阻率高于或等于1×10^-3Ωcm且低于1×10⁴Ωcm，

并且在截面图中，所述氧化物半导体膜比所述第一导电膜长若干倍。

6.根据权利要求1、2或4所述的半导体装置，

其中具有导电性的所述氧化物半导体膜包括氢和氧缺损，

并且所述氢位于所述氧缺损中。

7.根据权利要求1、2或4所述的半导体装置，还包括电容器，

其中所述电容器包括具有导电性的所述氧化物半导体膜、所述第一导电膜、所述第二绝缘膜和在所述第一导电膜上的第二导电膜，

所述第二绝缘膜与所述第二导电膜的底面接触，

并且，在截面图中，所述第二导电膜不与所述氧化物半导体膜和所述第一导电膜接触。