[发明专利]一种磁悬浮式衬底传送腔及传送方法

权利要求书

1.一种磁悬浮式衬底传送腔，其被配置为在外接半导体设备与功能腔室之间传送衬底，其特征在于，所述磁悬浮式衬底传送腔包括：

进片互锁腔体，其连接传送腔体以及所述外接半导体设备；以及

传送腔体，其包括：

隔离阀，其布置于所述传送腔体侧壁上，其中所述隔离阀连接所述功能腔室；

磁悬浮致动器定子，其布置于所述传送腔体底部，其中所述磁悬浮致动器定子被配置为通过磁悬浮方式控制磁悬浮致动器动子运动；

磁悬浮致动器动子，其布置于所述传送腔体内部，所述磁悬浮致动器动子连接一个或者多个端末作用器；以及

端末作用器，其被配置为运送衬底以及在所述进片互锁腔体和所述功能腔室中取出\放入衬底。

2.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，包括一个或者多个进片互锁腔体，所述进片互锁腔体具有第一进片互锁腔体阀门以及第二进片互锁腔体阀门，其中所述第一进片互锁腔体阀门与外接半导体设备连接，所述第二进片互锁腔体阀门与传送腔体连接，并且所述第一进片互锁腔体阀门以及所述第二进片互锁腔体阀门被配置为无法同时开启。

3.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述外接半导体设备包括半导体设备前端模块和\或半导体标准机械接口。

4.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，一个或者多个隔离阀分别连接一个或者多个所述功能腔室，其中所述功能腔室包括反应腔室、检测腔室和/或冷却腔室。

5.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述进片互锁腔体包括前开式晶圆盒FOUP或者晶圆盒POD。

6.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述衬底包括半导体衬底或者泛半导体衬底；和\或

所述衬底的形状包括直径为25mm-500mm的圆形以及边长为25mm-500mm的方形；和\或

所述衬底的材料包括硅、玻璃/石英、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓以及绝缘体上硅。

7.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述传送腔体通过密封圈进行密封；和\或

所述传送腔体包括真空抽气管道。

8.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述传送腔体通过风机过滤系统保护和\或隔离。

9.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述传送腔体包括长方形传送腔体，所述长方形传送腔体包括第一\第二短边以及第一\第二长边，其中第一短边上与一个或者多个所述进片互锁腔体连接，第二短边、第一长边以及第二长边上与多个所述功能腔室连接。

10.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述磁悬浮致动器定子通过刚性连接与所述传送腔体底部连接；或者

所述磁悬浮致动器定子通过一维\二维\三维伺服运动机构与所述传送腔体底部连接。

11.根据权利要求4所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述功能腔室\进片互锁腔体具有底座以及托举机构；和\或

所述端末作用器具有凹坑，其中所述凹坑被配置为承载所述衬底。

12.根据权利要求1所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，当所述端末作用器与所述衬底接触时，通过所述磁悬浮致动器定子对所述磁悬浮致动器动子施加反作用扭矩以补偿所述衬底重力带来的扭矩，以使所述端末作用器及所述衬底保持水平。

13.根据权利要求11所述的磁悬浮式衬底传送腔，其特征在于，所述凹坑在远离所述磁悬浮致动器动子的一侧的凹坑边缘上具有防滑机构。