[发明专利]一种SiC MOSFET器件结构

说明书

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种SiCMOSFET器件结构，包括封装壳体、引脚、凹槽、镀银层、散热块、散热鳍、耳板、导热膜、硅胶片、导热柱和镂空槽。本发明结构巧妙，装置的引脚上开有凹槽，引脚上开有镂空槽，且镂空槽位于凹槽内，用镊子夹持住引脚远离封装壳体靠近凹槽处，然后弯折引脚，在凹槽和镂空槽的作用下，大大降低了引脚折弯处的结构强度，此时可轻松的将引脚由凹槽处折弯，不仅方便了引脚的折弯，同时限定了装置的折弯位置，避免了装置因引脚的硬度高，引脚折弯困难，以及折弯时因折弯位置不对导致多折或者少折情况的发生，有利于装置的安装。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种SiC MOSFET器件结构。

背景技术

SiC MOSFET中文名称碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称碳化硅金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，虽然现有的Si MOSFET器件技术已经较为成熟，但是其仍然存在以下不足：

现有的Si MOSFET器件的引脚都是一块扁平的板，且具有较强的硬度，由于SiMOSFET器件尺寸较小，加上引脚具有较强的硬度，当安装Si MOSFET 器件，需要弯折引脚时，此时需要花费较多的时间和力气才能将引脚弯折成功，而且在弯折的过程中，弯折位置很难把控，容易出现弯折过多或者过少的情况，不便于Si MOSFET器件的安装，同时现有的Si MOSFET器件大都是塑料壳体直接封装，装置的散热能力较差，影响Si MOSFET器件的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SiC MOSFET器件结构，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种SiC MOSFET 器件结构，包括封装壳体，所述封装壳体的一侧设置有引脚，所述引脚中部处的顶面开有凹槽，所述引脚远离封装壳体一端的底部处为斜面，所述引脚上开设有镂空槽，所述镂空槽位于凹槽内，所述封装壳体的顶板开设有矩形镂空槽，所述矩形镂空槽内安装有具有散热块的导热机构。

优选的，所述导热机构包括散热块，所述散热块固定安装在封装壳体顶板的矩形镂空槽内，所述散热块的底面贴附安装有导热膜，所述导热膜的底面贴附安装有硅胶片，所述散热块内竖直固定安装有多根导热柱。

优选的，所述散热块的顶面贴附安装有散热鳍，所述散热鳍为铝制散热鳍。

优选的，所述散热块的外部固定套接有耳板，所述耳板与封装壳体的顶板相触，所述耳板与封装壳体接触处涂有防水密封胶。

优选的，所述散热块为铝合金块，所述散热块与封装壳体顶板的矩形镂空槽过度配合。

优选的，所述导热柱为石墨烯导热柱，所述导热柱的顶端与散热块的顶面位于同一水平面上，所述导热柱的底端与散热块的底面面位于同一水平面上。

优选的，所述引脚远离封装壳体一端处的倾斜面与水平面之间的夹角处在30°—50°之间，所述引脚一端处的倾斜面上镀有镀银层。

优选的，所述凹槽的底部处为弧状，所述导热膜为石墨烯导热膜。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明结构巧妙，装置的引脚上开有凹槽，引脚上开有镂空槽，且镂空槽位于凹槽内，用镊子夹持住引脚远离封装壳体靠近凹槽处，然后弯折引脚，在凹槽和镂空槽的作用下，大大降低了引脚折弯处的结构强度，此时可轻松的将引脚由凹槽处折弯，不仅方便了引脚的折弯，同时限定了装置的折弯位置，避免了装置因引脚的硬度高，引脚折弯困难，以及折弯时因折弯位置不对导致多折或者少折情况的发生，有利于装置的安装。