[发明专利]半导体开关管的驱动电路、驱动芯片及驱动控制方法在审
申请号: | 202110962499.4 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113783558A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 文鹏;林官秋;曾国梁 | 申请(专利权)人: | 深圳市必易微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/60 | 分类号: | H03K17/60;H03K17/0812;H02M1/08 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 严帅 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 开关 驱动 电路 芯片 控制 方法 | ||
1.一种半导体开关管的驱动电路,所述驱动电路能耦接一半导体开关管,其特征在于,所述驱动电路包括:
基极驱动电流控制电路,耦接所述半导体开关管的基极,用以在所述驱动电路处于第一状态下控制所述半导体开关管导通;还用以在所述驱动电路处于第二状态下控制所述半导体开关管基极的电流小于设定阈值;以及
基极发射极控制电路,用以在设定条件达到时控制所述半导体开关管的基极与发射极之间短路。
2.根据权利要求1所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述基极发射极控制电路包括:
第二开关管,其第一端耦接所述半导体开关管的基极,所述第二开关管的第二端耦接所述半导体开关管的发射极;以及
第二开关管驱动电路,耦接所述第二开关管,用以在设定条件达到时控制所述第二开关管导通。
3.根据权利要求1所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述设定条件包括达到如下条件的至少一个:
(1)流过所述半导体开关管的电流达到第一阈值,且超过设定时间;
(2)流过所述半导体开关管的电流达到第二阈值;其中,所述第二阈值大于所述第一阈值;
(3)所述半导体开关管已经进入放大区。
4.根据权利要求1所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述基极驱动电流控制电路包括:
第一开关管,耦接所述半导体开关管的基极;
第一开关管驱动电路,耦接所述第一开关管,用以控制所述第一开关管的开关状态;
半导体开关管驱动电路,通过所述第一开关管耦接所述半导体开关管的基极,用以在所述第一开关管导通时驱动所述半导体开关管工作。
5.根据权利要求4所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述驱动电路进一步包括PWM调制电路,所述PWM调制电路用以调制PWM信号;所述PWM调制电路的输出端耦接所述第一开关管驱动电路的输入端。
6.根据权利要求5所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述基极驱动电流控制电路耦接所述PWM调制电路;
所述第一状态,指所述PWM调制电路输出设定PWM信号的状态;
所述第二状态,指在流过所述半导体开关管的电流达到第一阈值的状态。
7.根据权利要求4所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述驱动电路进一步包括:
幅度调制电路,用以生成对应第一阈值的第一电压信号;
第一比较器,其同相输入端耦接所述半导体开关管发射极的电压,其反相输入端耦接对应所述第一阈值的第一电压信号;所述第一比较器的输出端耦接所述第一开关管驱动电路。
8.根据权利要求7所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述驱动电路进一步包括:计时单元,分别耦接第一比较器及第二开关管驱动电路,用以对第一比较器的设定输出进行计时。
9.根据权利要求2所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述驱动电路进一步包括:
幅度调制电路,用以生成对应第二阈值的第二电压信号;
第二比较器,其同相输入端耦接所述半导体开关管发射极的电压,其反相输入端耦接对应所述第二阈值的第二电压信号;所述第二比较器的输出端耦接所述第二开关管驱动电路。
10.根据权利要求2所述的半导体开关管的驱动电路,其特征在于:
所述驱动电路进一步包括放大区判定模块,所述放大区判定模块用以判断所述半导体开关管是否已经进入放大区;所述放大区判定模块的输出端耦接所述第二开关管驱动电路。
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