[发明专利]一种硼扩散方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种硼扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一硅基底；

对所述硅基底进行整面的第一热扩散工艺，在所述硅基底上形成第一硼扩散层和硼硅玻璃层；

去除所述硼硅玻璃层；

对所述硅基底进行整面的第二热扩散工艺，使所述第一硼扩散层的表层掺杂浓度增大转变成第二硼扩散层，所述第一硼扩散层的其余部分为第三硼扩散层；获得包括所述第二硼扩散层和所述第三硼扩散层的硼掺杂层。

2.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第一硼扩散层在所述硅基底上的深度为0.3μm～0.7μm。

3.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第一硼扩散层在所述硅基底上的深度为0.45μm～0.55μm；所述第三硼扩散层的掺杂浓度峰值为5×10¹⁸cm^-3～7×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第一热扩散工艺包括如下步骤：通入硼源和氧源，进行第一次沉积和第一次升温推进；

然后通入硼源和氧源，进行第二次沉积和第二次升温推进；

然后通入硼源和氧源，进行第三次沉积和第三次升温推进；

然后通氧推进。

5.根据权利要求4所述的硼扩散方法，其特征在于，所述硼源为BCl₃，所述氧源为O₂；

所述第一次沉积、所述第二次沉积和所述第三次沉积的沉积时间均为2min-5min；所述第一次沉积、所述第二次沉积和所述第三次沉积的O₂流量均为500mL/min～600mL/min；所述第一次沉积、所述第二次沉积和所述第三次沉积的BCl₃流量均为100mL/min～200mL/min；所述第一次沉积、所述第二次沉积和所述第三次沉积的N₂流量均为1600mL/min～2000mL/min；所述第一次沉积、所述第二次沉积和所述第三次沉积的沉积压力均为80mtorr～120mtorr；

所述第一次升温推进的温度升至800℃～855℃，所述第二次升温推进的温度升至840℃～910℃，所述第三次升温推进的温度升至1000℃～1100℃；

所述通氧推进的推进时间为60min～120min，所述通氧推进的O₂流量为1400mL/min～1600mL/min；所述通氧推进的N₂流量为1500mL/min～1900mL/min；所述通氧推进的推进压力为700mtorr～900mtorr。

6.根据权利要求1～5任一项所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第二硼扩散层在所述硅基底上的深度为0.05μm～0.2μm。

7.根据权利要求1～5任一项所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第二硼扩散层在所述硅基底上的深度为0.1μm；所述第二硼扩散层的掺杂浓度峰值为2×10¹⁹cm^-3～5×10¹⁹cm^-3。

8.根据权利要求1～5任一项所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第二热扩散工艺包括如下步骤：通入硼源和氧源，进行第四次沉积和第四次升温推进；

然后通入硼源和氧源，进行第五次沉积和第五次升温推进；

然后通入硼源和氧源，进行第六次沉积。