[发明专利]由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构及其使用方法

权利要求书

1.由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括第一基板(1)和第二基板(2)，其特征在于：所述第一基板(1)顶端的两侧均固定设有IGBT(3)，两个所述IGBT(3)的顶端均固定设有多个引针(4)，多个所述引针(4)分别通过多个引母(5)与两个MOSFET(6)连接，两个所述MOSFET(6)分别固定设置在第二基板(2)底端的两侧，两个所述IGBT(3)的两侧均接触连接有导热板(7)，四个所述导热板(7)的底端均固定设有多个导热杆(8)，多个所述导热杆(8)均贯穿第一基板(1)的顶端与两个第一导管(9)顶端的两侧固定连接，两个所述第一导管(9)均固定设置在第一基板(1)的内部，两个所述第一导管(9)顶端的中部均固定连通有第一竖管(10)，两个所述第一竖管(10)分别固定连通设置在循环箱(11)底端的两侧，所述循环箱(11)底端的中部固定连通有第二竖管(12)，所述第二竖管(12)的底端固定连通有第二导管(13)，所述第二导管(13)的两端均固定连通有横管(14)，两个所述横管(14)的顶端均设有加热板(15)。

2.根据权利要求1所述的由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：两个所述第一竖管(10)的外壁均固定设有第一电磁阀(16)，所述第二竖管(12)的外壁固定设有第二电磁阀(17)，所述第一电磁阀(16)和第二电磁阀(17)分别与第一控制开关和第二控制开关电性连接。

3.根据权利要求1所述的由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：所述循环箱(11)的内壁固定设有保温板(18)，所述保温板(18)的内壁固定设有密封板(19)。

4.根据权利要求1所述的由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：两个所述横管(14)顶端的两侧均开设有固定槽，四个所述固定槽均卡合连接有固定块(20)，四个所述固定块(20)分别固定设置在两个加热板(15)底端的两侧。

5.根据权利要求1所述的由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：所述第一基板(1)顶端的四个边角处均固定设有连接杆(21)，四个所述连接杆(21)均穿插设置在回型板(22)的顶端，四个所述连接杆(21)的顶端均卡合连接有连接槽，四个所述连接槽分别开设在第二基板(2)底端的四个边角处。

6.根据权利要求5所述的由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：四个所述连接杆(21)均接触连接有垫环(23)，四个所述垫环(23)分别滑动设置在四个连接槽内，四个所述垫环(23)的顶端均铰接设有连杆(24)，四个所述连杆(24)的一端均铰接设有滑块(25)，四个所述滑块(25)分别滑动设置在两个滑槽内，两个所述滑槽分别开设在凹槽内壁的两侧，所述凹槽开设在第二基板(2)的内部。

7.根据权利要求6所述的由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：四个所述滑块(25)的一侧均固定设有缓冲气囊(26)，四个所述缓冲气囊(26)分别固定设置在两个固定板(27)的两侧，两个所述固定板(27)分别固定设置在两个滑槽的内部。

8.根据权利要求6所述的由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：四个所述滑块(25)的一边侧分别固定设置在两个挤压板(28)的两端，两个所述挤压板(28)的一侧分别固定设置在压缩气囊(29)的两侧，所述压缩气囊(29)固定设置在凹槽的内部，所述压缩气囊(29)的底端固定连通有多个软管，多个所述软管的一端均固定连通有喷头(30)，多个所述喷头(30)均固定设置在第二基板(2)的底端。