[发明专利]一种PIM器件及其制造方法

权利要求书

1.一种PIM器件，其特征在于：包括覆铜陶瓷基板、三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件（1）；

所述三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片（9），且六个二极管芯片分别为二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）、二极管芯片Ⅲ（5）、二极管芯片Ⅳ（6）、二极管芯片Ⅴ（7）和二极管芯片Ⅵ（8）；六个负极连接于覆铜陶瓷基板上，二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）和二极管芯片Ⅲ（5）的负极通过覆铜陶瓷基板连接；六个clip铜片（9）的一端分别与六个二极管芯片的正极固定连接，六个clip铜片（9）的另一端分别与覆铜陶瓷基板固定连接，使得二极管芯片Ⅰ（3）的正极与二极管芯片Ⅳ（6）的负极连接，二极管芯片Ⅱ（4）的正极与二极管芯片Ⅴ（7）的负极连接，二极管芯片Ⅲ（5）的正极与二极管芯片Ⅵ（8）的负极连接，二极管芯片Ⅳ（6）的正极、二极管芯片Ⅴ（7）的正极和二极管芯片Ⅵ（8）的正极连接在一起；

所述三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片（16）和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片（17），且六个IGBT芯片分别为IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）、IGBT芯片Ⅲ（12）、IGBT芯片Ⅳ（13）、IGBT芯片Ⅴ（14）和IGBT芯片Ⅵ（15）；六个IGBT芯片的集电极连接于覆铜陶瓷基板上，IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）和IGBT芯片Ⅲ（12）的集电极通过覆铜陶瓷基板连接；六个clip发射极铜片（16）的一端分别与六个IGBT芯片的发射极固定连接，六个clip发射极铜片（16）的另一端分别与覆铜陶瓷基板固定连接，六个clip控制极铜片（17）的一端分别与六个IGBT芯片的控制极固定连接，六个clip控制极铜片（17）的另一端分别与覆铜陶瓷基板固定连接，使得IGBT芯片Ⅰ（10）的发射极与IGBT芯片Ⅳ（13）的集电极连接，IGBT芯片Ⅱ（11）的发射极与IGBT芯片Ⅴ（14）的集电极连接，IGBT芯片Ⅲ（12）的发射极与IGBT芯片Ⅵ（15）的集电极连接；

所述制动单元包括二极管芯片Ⅶ（18）、IGBT芯片Ⅶ（19）、clip铜片（9）、clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17），二极管芯片Ⅶ（18）的负极和IGBT芯片Ⅶ（19）的集电极分别连接于覆铜陶瓷基板连接上，二极管芯片Ⅶ（18）的负极通过覆铜陶瓷基板与IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）和IGBT芯片Ⅲ（12）的集电极连接；clip铜片（9）的一端与覆铜陶瓷基板固定连接，clip铜片（9）的另一端与二极管芯片Ⅶ（18）的正极固定连接，使得二极管芯片Ⅶ（18）的正极与IGBT芯片Ⅶ（19）的集电极固定连接；clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17）的一端与覆铜陶瓷基板固定连接，clip发射极铜片（16）的另一端与IGBT芯片Ⅶ（19）的发射极连接，clip控制极铜片（17）的另一端与IGBT芯片Ⅶ（19）的控制极固定连接；

所述温控检测NTC器件（1）的两端分别连接于铜板单元上。

2.如权利要求1所述一种PIM器件，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板包括基板本体（2）和用于连接所述三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件（1）的铜板单元，铜板单元贴合并固定于基板本体（2）上。

3.如权利要求2所述一种PIM器件，其特征在于：所有的二极管芯片和IGBT芯片都是通过锡膏固定于铜板单元上；所有的clip铜片（9）、clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17）都是通过锡膏与铜板单元固定连接，所有的clip铜片（9）都是通过锡膏与二极管芯片固定连接，所有的clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17）都是通过锡膏与IGBT芯片固定连接。