[发明专利]一种显示面板及其制备方法、掩模板及显示装置在审
申请号: | 202110960209.2 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113725231A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 高涛;张文轩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 模板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括位于显示区外围的布线区,所述布线区包括走线,其特征在于,所述走线的侧边斜面上设置有保护层,所述显示面板包括目标膜层,所述保护层与所述目标膜层同层设置,且材料相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述走线的侧边斜面的方向上,所述保护层的厚度大于或等于3nm,且小于或等于5nm。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述目标膜层包括平坦层和像素定义层中的至少一者。
4.一种掩模板,用于对显示面板的目标膜层进行曝光,所述显示面板包括位于显示区外围的布线区,所述布线区包括走线,所述显示面板还包括衬底,其特征在于,所述掩模板包括第一区域,所述第一区域为半透光区域,在所述掩模板对位于所述显示面板的情况下,所述第一区域在所述衬底上的正投影与所述目标膜层上的预设半刻蚀区在所述衬底上的正投影重叠,所述预设半刻蚀区在所述衬底上的正投影覆盖所述走线的侧边斜面在所述衬底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述第一区域的透过率大于或等于10%,且小于或等于98%;或者,所述第一区域的透过率大于或等于2%,且小于或等于30%。
6.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,在平行于所述掩模板的方向上,所述第一区域的宽度大于或等于10nm,且小于或等于20nm;在垂直于所述掩模板的方向上,所述第一区域的厚度大于或等于2nm,且小于或等于5nm。
7.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述掩模板还包括第二区域和第三区域,在所述掩模板对位于所述显示面板的情况下,所述第二区域在所述衬底上的正投影与所述目标膜层上的预设全刻蚀区在所述衬底上的正投影重叠,所述第三区域在所述衬底上的正投影与所述目标膜层上的预设非刻蚀区在所述衬底上的正投影重叠。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板;所述基板包括衬底;
在所述基板上的布线区形成走线;所述布线区位于所述基板的显示区外围;
形成目标膜层;
通过构图工艺,对所述目标膜层进行图案化,在所述走线的侧边斜面形成保护层;所述保护层与所述目标膜层同层设置,且材料相同;
其中,所述构图工艺包括:在所述目标膜层上涂覆光刻胶,通过掩模板对所述目标膜层进行曝光;所述掩模板为权利要求4-7任一项所述的掩模板。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述通过掩模板对所述目标膜层进行曝光之后,所述构图工艺还包括:
通过目标显影液,对所述光刻胶进行显影。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述走线的材料包括Al的情况下,所述目标显影液为酸性显影液或碱性显影液;
所述走线的材料包括Mg的情况下,所述目标显影液为碱性显影液;
所述走线的材料包括Cu和Fe中的至少一者的情况下,所述目标显影液为酸性显影液。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-3任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的