[发明专利]晶圆表面电荷量的检测方法和检测装置在审
| 申请号： | 202110959128.0 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113675106A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈成;石艳伟;姚兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 电荷 检测 方法 装置 | ||
1.一种晶圆表面电荷量的检测方法，包括：
对晶圆的形成有第一介质层的一侧进行离子注入；
在所述晶圆的所述一侧上沉积第二介质层，并测量沉积速率；以及
基于所述沉积速率检测所述晶圆的所述一侧表面的电荷量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量沉积速率的步骤包括：
测量所述第二介质层不同位置处的厚度，并基于沉积时间计算所述不同位置处的所述沉积速率。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：
在所述离子注入后，使用电荷中和装置对所述晶圆的所述一侧表面的电荷进行中和。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，基于所述沉积速率检测所述晶圆的所述一侧表面的电荷量包括：
基于所述电荷中和装置正常工作时的电荷中和率、与所述正常工作时的电荷中和率对应的目标沉积速率以及所述沉积速率来检测所述晶圆的所述一侧表面的电荷量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积的方法包括高深宽比工艺。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介质层包括不连续介质层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介质层包括氮化物和氧化物中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介质层包括氧化物。
9.一种晶圆表面电荷量的检测装置，包括：
电荷检测部，用于基于在晶圆的形成有第一介质层的一侧上沉积第二介质层的沉积速率来检测所述晶圆的所述一侧表面的电荷量，其中，所述晶圆的所述一侧的全部或部分在沉积所述第二介质层之前经过离子注入。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述电荷检测部还用于测量所述第二介质层不同位置处的厚度，并基于沉积时间计算所述不同位置处的所述沉积速率。
11.根据权利要求9所述的装置，其中，还包括：
电荷中和部，用于在所述离子注入后，对所述晶圆的所述一侧表面的电荷进行中和。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述电荷检测部还用于基于所述电荷中和部正常工作时的电荷中和率、与所述正常工作时的电荷中和率对应的目标沉积速率以及所述沉积速率来检测所述晶圆的所述一侧表面的电荷量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
