[发明专利]一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装结构及其方法在审
申请号: | 202110955268.0 | 申请日: | 2021-08-19 |
公开(公告)号: | CN114141638A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 余亮;马剑豪;姚陈果;董守龙 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/54;H01L23/498;H01L23/488 |
代理公司: | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人: | 王翔 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 开关 寄生 电感 提升 动态 性能 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在所述顶板漏极焊盘上印刷焊料。
2)将开关裸片(2)漏极焊接在顶板漏极焊盘上;
3)在开关裸片(2)源极和栅极位置进行金球阵列(7)键合;
4)在介质板(4)上印刷焊料;
5)将介质板(4)与顶板焊接;
6)对开关裸片(2)和介质板(4)之间的缝隙进行填充;
7)在顶板栅极焊盘和顶板源极焊盘之间填充阻焊层;
8)在焊盘基板(5)上印刷焊料;
9)将介质板(4)和焊盘基板(5)焊接。
2.根据权利要求1所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法,其特征在于:步骤2)中,利用锡膏(3)将开关裸片(2)漏极焊接在顶板漏极焊盘上;
步骤5)中,利用锡膏(3)将介质板(4)与顶板焊接。
步骤9)中,利用锡膏(3)将介质板(4)与焊盘基板(5)焊接。
3.根据权利要求1所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法,其特征在于:步骤3)中,利用金丝键合机分别在开关裸片(2)源极和栅极上布置金球阵列。
4.根据权利要求1所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法,其特征在于:焊接方法包括回流焊工艺。
5.根据权利要求1所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法,其特征在于:用于开关裸片(2)和介质板(4)之间缝隙填充的材料包括硅凝胶。
6.利用权利要求1至5任一项所述降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法制得的封装结构,其特征在于:包括顶板、开关裸片(2)、介质板(4)、焊接基板(5);
所述顶板包括顶板漏极焊盘、顶板栅极焊盘和顶板源极焊盘;所述顶板栅极焊盘和顶板源极焊盘之间填充有阻焊层;
所述开关裸片(2)漏极焊接在顶板漏极焊盘上;
所述开关裸片(2)栅极和源极上布置有金球阵列(7);
所述开关裸片(2)漏极引线通过焊盘基板(5)引出,源极引线通过连接过孔(42)与顶板连接,从而令源极引线与漏极母线实现上下层对称输出;
所述介质板(4)的一个表面与顶板焊接,另一个表面和焊盘基板(5)焊接;
所述介质板(4)上开设有若干连接过孔(42);
所述焊盘基板(5)的栅极、源极采用开尔文栅极、源极连接的布线设计;
所述焊盘基板(5)具有引脚(6)。
7.根据权利要求6所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法制得的封装结构,其特征在于:所述顶板包括散热陶瓷基板(11)和散热铜皮基板(12);所述散热铜皮基板(12)分别覆盖于散热陶瓷基板(11)的上表面和下表面。
8.根据权利要求6所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法制得的封装结构,其特征在于:还包括用于焊接开关裸片(2)漏极与顶板漏极焊盘、介质板(4)与顶板、介质板(4)与焊盘基板(5)的锡膏(3)。
9.根据权利要求6所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法制得的封装结构,其特征在于:还包括用于填充开关裸片(2)和介质板(4)之间缝隙的硅凝胶。
10.根据权利要求6所述的一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装方法制得的封装结构,其特征在于:所述开关裸片(2)所在区域的矢量方向为同心圆分布,左右两侧分别呈逆时针和顺时针反向布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造