[发明专利]一种真空合成二硫化钼的方法在审

专利信息
申请号: 202110952049.7 申请日: 2021-08-18
公开(公告)号: CN113772731A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 王飞;陈钰臻;陆从理;杨斌;刘大春;徐宝强;邓勇;曲涛;田阳;熊恒;郁青春;蒋文龙;杨佳 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06
代理公司: 昆明人从众知识产权代理有限公司 53204 代理人: 沈艳尼
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 合成 二硫化钼 方法
【说明书】:

本发明公开一种真空合成二硫化钼的方法,将MoO3粉末和S粉混合均匀后放到石英管中,将石英管在真空度为2~20Pa条件下,用封管机进行密封,将密封后的石英管进行热处理,冷却后取出石英管,石英管内产物为MoS2,收率最高可达91.89%,可直接用作润滑剂;本发明采用真空合成的方式将氧化钼硫化为二硫化钼,该方法同时可以用于过渡金属氧化物的硫化,具有成本低、流程短、操作简便、收率高,对环境污染小的优点。

技术领域

本发明涉及一种真空合成二硫化钼的方法,属于真空冶金技术领域。

背景技术

过渡金属硫化物因拥有石墨烯类似的晶体结构,同时又具有石墨烯没有的带隙结构,因此有独特的物理、化学、光电性质,成为了新兴材料中的研究热点。其中二硫化钼因能够在高温、高压、高速旋转的环境条件下仍保持较好的润滑性能,被誉为“润滑剂大王”,广泛应用于航天、军工、核工业等高新技术领域。工业上生产二硫化钼主要为化学合成法,所用原料各有不同,一般以钼酸铵为原料,将其硫化转化为硫代钼酸铵,然后通过硫代钼酸铵的热分解制备MoS2,此外,也有将三氧化钼与工业硫粉直接反应生成MoS2等方法。

申请号为201410314766.7的专利,以钼酸铵为原料,硫脲作为硫源对其进行硫化,生成MoS3沉淀,离心之后进行热分解得到MoS2,生产流程长,制备条件严苛,且产物的尺寸与形貌难以调控,不适宜大规模地生产与应用。

HL A等人利用三氧化钼与工业硫粉直接反应,产物中游离的MoO3与未完全硫化的MoO2成为主要的杂质,硫含量不稳定,导致Mo与S的含量比也不稳定,一定程度上影响产品后续的使用。同时无论是何种方法,在制造过程中都会造成原料的大量流失,产物中成分掺杂、产率不高,收集工艺复杂,对环境污染大,生产成本较高等缺点。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题及不足,本发明提供一种真空合成二硫化钼的方法,以氧化钼(99.95%)、工业硫粉为原料,将原料按照一定比例均匀混合后装入石英管内,在真空条件下对其进行密封,随后将石英管进行加热处理,直接得到产物二硫化钼。

一种真空合成二硫化钼的方法,具体步骤如下:

(1)将MoO3粉末和S粉混合均匀;

(2)将步骤(1)得到的粉末放到石英管中,然后将石英管在真空度为2~20Pa条件下,用封管机进行密封;

(3)将步骤(2)得到的样品进行热处理,待冷却后取出石英管,石英管内产物为MoS2

所述MoO3粉末纯度为99.95%;S粉为工业硫粉。

所述MoO3粉末与S粉的质量比1:1~3。

所述石英管封存时压强为2~20Pa,石英管内径为10~30mm。

所述热处理是升温至500℃~600℃后保温10min~30min。

根据物质蒸气压与温度公式:lg(P/kPa)=A*103*T-1+B*lgT+c*10-3+D,计算出三氧化钼在1~120Pa条件下的挥发温度,如图1所示,可知随着饱和蒸汽压的增加,三氧化钼对应挥发所需的温度显著上升,同时可以得到在2~20Pa的情况下,对应的挥发温度为:890K~950K;可知真空条件可以显著降低反应所需的温度。

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