[发明专利]一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法

权利要求书

1.一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制备均匀的钙钛矿薄膜并在钙钛矿薄膜中制备两个平行的嵌入电极，两个电极平行镶嵌到钙钛矿薄膜中；

(2)通过高偏置电压，调控钙钛矿薄膜局部内可移动离子的浓度；通过步骤(1)中的电极向钙钛矿薄膜施加偏置电压，驱动两电极之间钙钛矿薄膜中游离离子空间重排，从而改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合同质结微纳PN结的要求；

(3)通过在步骤(2)处理后的钙钛矿薄膜上依次旋涂PCBM与PMMA进行钝化从而抑制可移动离子即游离离子的回迁，旋涂所需的溶液是PCBM的氯苯溶液和PCBM的氯苯溶液，钝化后可以实现低电压区间稳定工作的钙钛矿同质结微纳PN结。

2.按照权利要求1所述的一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，其特征在于，步骤(2)施加偏置电压和处理的时间，可根据需要进行调整，最终使得两电极之间钙钛矿薄膜中游离离子迁移从而空间重排，即阴离子向阳极迁移，阳离子向阴极迁移从而达到符合同质结微纳PN结的要求。

3.按照权利要求1所述的一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，其特征在于，所述的偏置电压为直流电压。

4.按照权利要求1所述的一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，其特征在于，PCBM的氯苯溶液的质量百分比浓度为0.5％，PCBM的氯苯溶液的质量百分比浓度为0.5％。

5.按照权利要求1所述的一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，其特征在于，低电压区间指的是-10伏至+10伏。

6.按照权利要求1-5任一项所述的方法制备得到的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。