[发明专利]光子晶体面射型激光结构

权利要求书

1.一种光子晶体面射型激光结构，其特征在于，包含：

基板；

N型披覆层，设置在所述基板上；

主动层，设置在所述N型披覆层上；

光子晶体结构，设置在所述主动层上；

P型披覆层，设置在所述光子晶体结构上；

第一N型半导体层，设置在所述P型披覆层上；以及

超颖介面结构，位于所述第一N型半导体层远离所述P型披覆层的表面上。

2.如权利要求1所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述基板、所述N型披覆层以及所述主动层沿着一个方向排列，所述超颖介面结构配置以使激光光束倾斜于所述方向出射。

3.如权利要求2所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述激光光束与所述方向之间的最大夹角为90度。

4.如权利要求1所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述超颖介面结构配置以使激光光束同时朝不同的复数个方向出射。

5.如权利要求1所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述超颖介面结构包含与所述第一N型半导体层一体成形的微结构。

6.如权利要求1所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述超颖介面结构部分覆盖所述第一N型半导体层的所述表面，并接触所述第一N型半导体层。

7.如权利要求1所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，进一步包含金属电极，所述金属电极设置在所述第一N型半导体层的所述表面上，并环绕所述超颖介面结构。

8.如权利要求1所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，进一步包含穿隧接面，所述穿隧接面设置在所述第一N型半导体层中。

9.如权利要求8所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述穿隧接面的横截面面积小于所述超颖介面结构的面积。

10.如权利要求8所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述穿隧接面在所述基板上的垂直投影区域落在所述超颖介面结构在所述基板上的垂直投影区域以内。

11.如权利要求8所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述基板、所述N型披覆层以及所述主动层沿着第一方向排列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述穿隧接面的宽度小于所述超颖介面结构的宽度。

12.如权利要求8所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述穿隧接面的横截面面积小于所述光子晶体结构的横截面面积。

13.如权利要求8所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述穿隧接面在所述基板上的垂直投影区域落在所述光子晶体结构在所述基板上的垂直投影区域以内。

14.如权利要求8所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述基板、所述N型披覆层以及所述主动层沿着第一方向排列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述穿隧接面的宽度小于所述光子晶体结构的宽度。

15.如权利要求8所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，进一步包含第一P型半导体层，所述第一P型半导体层设置在所述P型披覆层上，且被所述第一N型半导体层环绕，所述穿隧接面位于所述第一P型半导体层以及所述第一N型半导体层之间。

16.如权利要求15所述的光子晶体面射型激光结构，其特征在于，所述穿隧接面包含第二P型半导体层以及第二N型半导体层，所述第二P型半导体层位于所述第一P型半导体层以及所述第二N型半导体层之间，其中所述第二P型半导体层的掺杂浓度大于所述第一P型半导体层，且所述第二N型半导体层的掺杂浓度大于所述第一N型半导体层。