[发明专利]一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器

权利要求书

1.一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器，其特征在于，该晶体管放大器包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2)，差分共发射极结构放大器(1)的同相输入端(3)与差分共基极结构放大器(2)的同相输入端相连接，差分共发射极结构放大器(1)的反相输入端(4)与差分共基极结构放大器的反相输入端相连接，差分共射极结构放大器(1)的同相输出端(5)与差分共基极放大器(2)的同相输出端相连接，差分共发射极结构放大器(1)的反相输出端(6)与差分共基极结构放大器(2)的反相输出端相连接；

位于共发射极结构放大器(1)集电极和共基极结构放大器(2)发射极的四路电流通路以提供晶体管的偏置电流I₁(7)、偏置电流I₂(8)、偏置电流I₃(9)、偏置电流I₄(10)，位于共基极结构放大器(2)基极和共发射极放大器(1)发射极的两路电压通路以提供晶体管的偏置电压V_bias,b(11)、偏置电压V_bias,e(12),位于共发射极结构放大器(1)基极或共基极结构放大器(2)发射极的差分输入端口V_in+(13)、差分输入端口V_in-(14)，位于共发射极结构放大器(1)集电极或共基极结构放大器(2)集电极的差分输出端口V_out+(15)、差分输出端口V_out-(16)。

2.根据权利要求1所述的差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器，其特征在于，所述的差分共发射极结构放大器(1)由第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)共发射极构成，第三晶体管(M3)的基极接差分输入端口V_in-(14)，第四晶体管(M4)的基极接差分输入端口V_in+(13)，第三晶体管的集电极(c₃)接差分输出端口V_out+(15)，第四晶体管(M4)的集电极(c₄)接差分输出端口V_out-(16)。

3.根据权利要求1所述的差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器，其特征在于，所述的差分共基极结构放大器(2)由第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)共基极构成，第一晶体管(M1)的发射极接差分输入端口V_in-(14)，第二晶体管(M2)的发射极接差分输入端口V_in+(13)，第一晶体管的集电极(c₁)接差分输出端口V_out+(15)，第二晶体管的集电极(c₂)接差分输出端口V_out-(16)。

4.根据权利要求2或3所述的差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器，其特征在于，所述的第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)为双极结型晶体管BJT、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、或高电子迁移率晶体管HEMT。

5.根据权利要求4所述的差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器，其特征在于，所述的第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或者高电子迁移率晶体管HEMT时，针对各晶体管的电极不同命名，所述的发射极、基极、集电极对应为源极、栅极、漏极。

6.根据权利要求1所述的差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器，其特征在于，所述差分共发射极放大器(1)的两个基极、差分共基极放大器(2)的两个发射极通过连线分别与同相输入端(3)、反相输入端(4)连接，或通过电容或其他电路元件进行交流连接；差分共发射极结构放大器(1)的两个集电极、差分共基极结构放大器(2)的两个集电极通过连线分别与同相输出端(5)、反相输出端(6)连接，或通过电容或其他元件进行交流连接。