[发明专利]无片外电容的线性电源集成电路及无线充电设备

权利要求书

1.一种无片外电容的线性电源集成电路，其特征在于，所述线性电源集成电路包括VBG建立模块和输出模块，所述VBG建立模块包括VBG核心模块和运算放大器模块，所述运算放大器模块与所述VBG核心模块电连接，所述输出模块与所述运算放大器模块电连接，所述运算放大器模块内置有启动器件；

其中，所述启动器件用于驱动所述运算放大器模块与所述VBG核心模块形成负反馈的闭环环路以输出稳定电压，所述输出模块用于根据所述稳定电压输出端口电压；

所述启动器件包括接地的第七电阻；

所述输出模块包括第十二NMOS管，所述第十二NMOS管的漏极用于接收供电端的电源电压，所述第十二NMOS管的栅极与所述运算放大器模块连接，所述第十二NMOS管的源极输出所述端口电压，所述端口电压用于对数字模块进行供电；

所述VBG核心模块包括第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、电阻组件、第七PMOS管和第八PMOS管；所述第一PNP型三极管的发射极经所述电阻组件分别与所述第七PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极电连接，所述第二PNP型三极管的发射极经所述电阻组件分别与所述第七PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极电连接，所述第一PNP型三极管的基极和所述第一PNP型三极管的集电极均接地，所述第二PNP型三极管的基极和所述第二PNP型三极管的集电极均接地，所述第八PMOS管的源极与所述第七PMOS管的源极电连接；

所述电阻组件包括第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第四电阻一端与所述第二PNP型三极管的发射极电连接，所述第四电阻另一端与所述第六电阻一端电连接，所述第六电阻另一端同时与所述第五电阻一端、所述第七PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极电连接，所述第五电阻另一端与所述第一PNP型三极管的发射极电连接；所述第一PNP型三极管的数量为一个，所述第二PNP型三极管的数量为至少两个；

所述运算放大器模块包括第一级放大子模块和第二级放大子模块；

所述第一级放大子模块用于采样第一结点电压和第二结点电压并对差分电压进行第一级放大，所述第二级放大子模块用于对经第一级放大的所述差分电压进行第二级放大以生成所述稳定电压；所述第一结点电压为第一结点的电压，所述第一结点为所述第五电阻的另一端和所述第一PNP型三极管的发射极相交的结点，所述第二结点电压为第二结点的电压，所述第二结点为所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的一端相交的结点，所述差分电压为所述第一结点电压和所述第二结点电压的差值电压；

所述第一级放大子模块包括第九PMOS管、第十PMOS管和第八NMOS管、第九NMOS管；所述第九PMOS管的漏极同时与所述第八NMOS管的漏极、所述第八NMOS管的栅极、所述第九NMOS管的栅极电连接，所述第九PMOS管的源极同时与所述第十PMOS管的源极、所述第八PMOS管的漏极电连接，所述第九PMOS管的栅极与所述第二结点电连接以采样所述第二结点电压，所述第十PMOS管的栅极与所述第一结点电连接以采样所述第一结点电压，所述第十PMOS管的漏极同时与所述第二级放大电路、所述启动器件的一端和所述第九NMOS管的漏极电连接，所述第九NMOS管的源极和所述第八NMOS管的源极均接地；

所述第二级放大子模块包括第十NMOS管、第八电阻和第十一NMOS管；

其中，所述第十NMOS管的栅极同时与所述第十PMOS管的漏极、所述第九NMOS管的漏极和所述启动器件的一端电连接，所述第十NMOS管的漏极同时与所述第八电阻一端、所述第十一NMOS管的栅极电连接，所述第十NMOS管的源极接地，所述第十一NMOS管的源极同时与所述第七PMOS管的源极、所述第八PMOS管的源极电连接，所述第八电阻另一端和所述第十一NMOS管的漏极均与供电端电连接。

2.如权利要求1所述无片外电容的线性电源集成电路，其特征在于，所述第七电阻的一端同时与所述第十PMOS管的漏极、所述第九NMOS管的漏极、第十NMOS管的栅极电连接，所述第七电阻的另一端接地。

3.如权利要求1或2所述无片外电容的线性电源集成电路，其特征在于，所述第十二NMOS管的栅极与所述运算放大器模块的输出端连接。

4.一种无线充电设备，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述无片外电容的线性电源集成电路。