[发明专利]MIPI的偏置电路、MIPI模块及显示设备有效

专利信息
申请号: 202110944667.7 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN113672026B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 郑丞弼;谭力 申请(专利权)人: 晟合微电子(肇庆)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 代理人: 辛鸿飞
地址: 526000 广东省肇庆市鼎湖区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: mipi 偏置 电路 模块 显示 设备
【权利要求书】:

1.一种MIPI的偏置电路,与MIPI模块的信号放大模块连接,其特征在于,所述电路包括:参考电流输出单元、电流镜单元、微调单元和偏置电流输出单元;所述参考电流输出单元分别与电流镜单元和微调单元连接,所述电流镜单元与微调单元连接,所述偏置电流输出单元与电流镜单元连接,所述微调单元还与外部的控制源连接;

所述参考电流输出单元用于根据其输入低压电流输出参考电流;

所述微调单元用于根据所述控制源控制电流镜单元的镜像比例因子;

所述电流镜单元用于根据所述镜像比例因子输出偏置电流;

所述偏置电流输出单元用于向所述信号放大模块输出偏置电流;

所述微调单元包括多个微调子单元,各个微调子单元之间级联,且各个微调子单元的第一端接地,其中一微调子单元与所述参考电流输出单元连接;

所述微调子单元包括:第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管;

第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接,第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的源极连接,第三NMOS管的源极接地,第四NMOS管的源极还与第五NMOS管的漏极连接,第五NMOS管的源极接地;每一所述微调子单元之间通过第四NMOS管的漏极连接,其中一微调子单元的第四NMOS管的漏极与电流镜单元连接;第四NMOS管和第五NMOS管的栅极与所述控制源连接。

2.如权利要求1所述的MIPI的偏置电路,其特征在于,所述参考电流输出单元包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管,以及第一电阻和第二电阻;

第一PMOS管的源极为参考电流输出单元的输入端,第一PMOS管的栅极为使能控制端,第一PMOS管的漏极与所述第一电阻的一端连接,第一电阻的另一端与第一NMOS管的漏极连接,第一NMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极连接,第一NMOS管的源极接地,第一NMOS管的栅极还与第二NMOS管的栅极连接,第二NMOS管的源极接地,第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的栅极连接,第二PMOS管的源极与第一PMOS管的源极连接,第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接,第三PMOS管的栅极与第三PMOS管的源极连接,第三PMOS管的漏极接地,第三PMOS管的栅极还与第四PMOS管的栅极连接,第四PMOS管的源极与第五PMOS管的漏极连接,第四PMOS管的漏极与第二电阻的一端连接,第五PMOS管的源极与第一PMOS管的源极连接,第五PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接,第二电阻的另一端接地,第五PMOS管的源极还与所述电流镜单元连接。

3.如权利要求2所述的MIPI的偏置电路,其特征在于,所述电流镜单元

包括:第六PMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管;

第六PMOS管的源极与参考电流输出单元的输入端连接,第六PMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极连接,第六PMOS管的漏极与所述微调单元连接;

第六NMOS管的漏极分别与第四NMOS管的漏极和第六PMOS管的漏极连接,第六NMOS管的栅极分别与第六NMOS管的漏极和第七NMOS管的栅极连接,第六NMOS管的源极接地;第七NMOS管的漏极与所述偏置电流输出单元连接,第七NMOS管的源极接地。

4.如权利要求3所述的MIPI的偏置电路,其特征在于,所述偏置电流输出单元包括第七PMOS管和多个第八PMOS管;

第七PMOS管的源极与第六PMOS管的源极连接,第七PMOS管的栅极与其中一第八PMOS管的栅极连接,第七PMOS管的漏极与第七NMOS管的漏极连接;各个第八PMOS管的源极均与第七PMOS管的源极连接,各个第八PMOS管的漏极均与所述MIPI模块的信号放大模块连接。

5.如权利要求4所述的MIPI的偏置电路,其特征在于,各个所述PMOS管为低压PMOS管,各个NMOS管均为低压NMOS管。

6.一种MIPI模块,其特征在于,所MIPI模块包括权利要求1-5任意一项所述MIPI的偏置电路。

7.一种显示设备,其特征在于,所显示设备包括权利要求1-5任意一项所述MIPI的偏置电路。

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