[发明专利]一种增加蒸镀制程良率的方法在审
申请号: | 202110943868.5 | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN113658858A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;蘇政宏 | 申请(专利权)人: | 顺芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285 |
代理公司: | 北京七夏专利代理事务所(普通合伙) 11632 | 代理人: | 刘毓珍 |
地址: | 239200 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增加 蒸镀制程良率 方法 | ||
1.一种增加蒸镀制程良率的方法,其特征在于,包含如下步骤:
S1:贴胶膜,保护和避免破坏产品表面;
S2:研磨:晶圆背面减薄至所需厚度;
S3:蚀刻:蚀刻晶圆背面始成粗糙表面利于蒸镀;
S4:真空干燥保存:待蒸镀晶圆避免曝露在空去中;
S5:蒸镀:将具导电性金属离子,溅镀于蚀刻后晶圆表面作为未来各组件间的导线用。
2.根据权利要求1所述的一种增加蒸镀制程良率的方法,其特征在于,所述S1步骤之前,还包括进料校验,筛选出符合品检的产品。
3.根据权利要求2所述的一种增加蒸镀制程良率的方法,其特征在于,所述S3步骤蚀刻具体包括以下步骤:研磨之后粗化湿蚀刻,随后IPA干燥,将胶膜撕掉,进行品检,品检合格产品进行蒸镀前蚀刻,蚀刻完成后再次进行IPA干燥。
4.根据权利要求3所述的一种增加蒸镀制程良率的方法,其特征在于,蚀刻步骤完成后,蒸镀之前,将晶圆残留的水分烘干,待蒸镀晶圆真空干燥保存。
5.根据权利要求4所述的一种增加蒸镀制程良率的方法,其特征在于,S5蒸镀之后,进行出货检验,符合品检的产品进行真空包装,并出货。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造