[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件

说明书

本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，包括获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将硅片翻转180度，并在位于背面的非晶硅膜层的沿表面边缘覆盖掩膜；掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有掩膜的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；在位于正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。本申请先在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层，然后翻转硅片，在位于背面的非晶硅膜层的表面覆盖掩膜，掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，掩膜遮挡宽度变窄，增加背面TCO膜层的面积，提升电池的效率。

技术领域

本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件。

背景技术

异质结太阳能电池具有双面对称结构和非晶硅层优秀的钝化效果，同时具有转换效率高、双面率高等特点，成为行业研究的热点。

异质结太阳能电池的正面和背面均有TCO(transparent conductive oxide，透明导电氧化物)膜层，目前在制备TCO膜层时采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)方式进行沉积，将硅片放在镂空载板的凹坑里，镂空载板置于PVD设备中，PVD设备一次性进行正面和背面的TCO镀膜。由于硅片放置在载板的凹坑里，硅片背面四边边缘均有0.6mm左右的遮挡而没有TCO膜层，按照计算，约有1.4％的非晶硅膜层没有TCO膜层覆盖，导致此处产生的光生载流子无法有效导出，理论计算的效率损失在0.34％左右。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，以提升异质结太阳能电池的效率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种异质结太阳能电池制作方法，包括：

获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；

在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；

将所述硅片翻转180度，并在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沿边缘覆盖掩膜；其中，所述掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；

在覆盖有所述掩膜的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；

分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。

可选的，在所述获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片之前，还包括：

获得所述硅片；

在所述硅片的所述正面和所述背面分别沉积本征非晶硅膜层；

在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积p型非晶硅膜层；

在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沉积n型非晶硅膜层。

可选的，在所述获得所述硅片之后，还包括：

对所述硅片进行双面制绒处理。

可选的，在所述分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极之后，还包括：

进行EL测试和IV曲线测试，筛选出不合格的异质结太阳能电池。

本申请还提供一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池采用上述任一种所述的异质结太阳能电池制作方法制得。

本申请还提供一种异质结光伏组件，包括由下至上依次层叠的第一基板、第一胶膜层、电池层、第二胶膜层、第二基板，其中，所述电池层包括多片上述所述的异质结太阳能电池。