[发明专利]一种硅片化学机械抛光液及其应用有效
申请号: | 202110940722.5 | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN113789126B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 卞鹏程;卫旻嵩;崔晓坤;王庆伟 | 申请(专利权)人: | 万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/306 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264006 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 化学 机械抛光 及其 应用 | ||
1.一种适用于不超过2.0psi抛光压力的硅片化学机械抛光液,包括质量百分数为5%~20%的氧化硅磨料、0.2~12%的速率促进剂、0.001~0.005%的表面活性剂、余量为水;
所述的表面活性剂为分子量≤1000,HLB值≥16的非离子表面活性剂,选自吐温20、吐温80、聚乙二醇200、聚乙二醇400、聚乙二醇600、聚乙二醇800、聚乙二醇1000中的一种或几种;
所述的速率促进剂选自乙二胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、哌嗪、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺或异丙醇胺中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,包括质量百分数为10%~20%的氧化硅磨料、0.5~10%的速率促进剂、0.001~0.003%的表面活性剂、余量为水。
3.根据权利要求1或2所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述的氧化硅磨料为二氧化硅纳米颗粒。
4.根据权利要求3所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述二氧化硅纳米颗粒的粒径为30-120nm。
5.根据权利要求1所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述的速率促进剂为哌嗪。
6.根据权利要求1所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述的表面活性剂为吐温20或聚乙二醇400。
7.根据权利要求6所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述的表面活性剂为吐温20。
8.根据权利要求1或2所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述硅片化学机械抛光液还包括pH调节剂。
9.根据权利要求8所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述pH调节剂选自HNO3、氢氧化钾、氢氧化铵中的任一种,调节所述硅片化学机械抛光液的pH值至10.5~11.0。
10.根据权利要求1或2所述的硅片化学机械抛光液,其特征在于,所述硅片化学机械抛光液还包括杀菌剂,所述杀菌剂的加入量为抛光液质量的0.04%~0.2%。
11.权利要求1-10任一项所述的硅片化学机械抛光液在硅片化学机械抛光中的应用。
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