[发明专利]一种导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号: | 202110939879.6 | 申请日: | 2021-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN113415058B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | 罗伟;张丛见;任月璋 | 申请(专利权)人: | 苏州奥美材料科技有限公司 |
| 主分类号: | B32B27/36 | 分类号: | B32B27/36;B32B27/08;B32B27/18;C08J5/18;C08L69/00;C08K3/38;C08K3/28;C08K3/34;C08K7/26;B29C48/18;B29C48/08 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 导热 电压 击穿 绝缘 聚碳酸酯 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜,其特征在于,包括导热层以及设置在所述导热层上下两侧的耐击穿电压层;
其中,按质量百分比计,所述导热层包含如下组分:
PC 84-93%
纳米级氮化硼 1-5%
纳米级氮化铝 1-5%
助剂 5-6%,
所述导热层中,所述PC的玻璃化温度为100-120℃;
按质量百分比计,所述耐击穿电压层包含如下组分:
PC 64-89%
纳米级云母粉 1-20%
纳米级二氧化硅 5-10%
助剂 5-6%,
所述耐击穿电压层中,所述PC的熔融指数为15-40g/10min。
2.根据权利要求1所述的导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜,其特征在于,所述纳米级氮化硼的粒径为1-100nm;
所述纳米级氮化铝的粒径为1-100nm。
3.根据权利要求1所述的导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜,其特征在于,所述纳米级云母粉的粒径为1-100nm;
所述纳米级二氧化硅的粒径为1-100nm。
4.根据权利要求1所述的导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜,其特征在于,所述导热层中,按质量百分比计,所述助剂包含0.5%的抗氧剂、3%的分散剂和2%的润滑剂;
所述耐击穿电压层中,按质量百分比计,所述助剂包含0.5%的抗氧剂、3%的分散剂和2%的润滑剂。
5.根据权利要求3或4所述的导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜,其特征在于,所述导热层中的抗氧剂和所述耐击穿电压层中的抗氧剂独立地选自受阻酚抗氧剂;
所述受阻酚抗氧剂为四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯;
所述导热层中的分散剂和所述耐击穿电压层中的分散剂独立地选自戊四醇硬脂酸酯类分散剂;
所述导热层中的润滑剂和所述耐击穿电压层中的润滑剂独立地选自硬脂酸及其盐类。
6.根据权利要求1所述的导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜,其特征在于,所述导热层的厚度为0.3-5mm;
所述导热层上下两侧的耐击穿电压层的厚度独立地为0.2-3mm。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
1)按配比,将PC、纳米级氮化硼、纳米级氮化铝和助剂混合,制备导热层材料;
2)按配比,将PC、纳米级云母粉、纳米级二氧化硅和助剂混合,制备耐击穿电压层材料;
3)以步骤1)制得的导热层材料为中间层,以步骤2)制得的耐击穿电压层材料为上下表层,通过三层共挤,得到所述导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜。
8.一种如权利要求1-6任一项所述的导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜的应用,其特征在于,将所述导热耐电压击穿绝缘聚碳酸酯薄膜用于工控散热片或工业灯底座的制备。
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