[发明专利]一种发光二极管、发光模块及显示装置

说明书

本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种发光二极管、发光模块及显示装置，其中，一种发光二极管，包括外延层，外延层包括第一半导体层、第二半导体层及设于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；第一电极形成在第一半导体层上，第二电极形成在第二半导体层上，发光二极管具有相对的顶边和底边、相对的第一侧边和第二侧边；其中，底边相对顶边更靠近第二电极；第二电极至少包括一个起始部和两个延伸部，两个延伸部呈弧形，两个延伸部从起始部开始延伸，逐渐远离底边并分别逐渐靠近第一侧边和第二侧边；以平行于侧边的一条中心线为基准，延伸部各点的切线与中心线之间均形成不高于90°的夹角，且夹角在延伸方向上逐渐递增。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种发光二极管、发光模块及显示装置。

背景技术

发光二极管，(Light Emitting Diode，简称LED)，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,在向其施加电流时根据p型半导体结部分和n型半导体结部分处的电子和空穴的复合而产生各种颜色的光的半导体器件,其作为照明器件,相对传统照明器件,发光二极管有相当大优势——寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保。目前LED主要用于显示屏、指示灯、背光源等领域。

目前，LED已被广泛的应用在照明领域，随着应用领域的扩大，对于LED产品特性的要求也日益提升；如何实现长寿命、高可靠度、高光效的统一是亟待解决的问题。如中国专利申请(公开号为CN103972274A)公开的半导体装置，将梳形的N型MOS晶体管用作ESD保护元件，能够使上述梳型的N型MOS晶体管整体均匀地进行动作。根据与配置在外周保护环上的基板电位固定用接触孔的距离调整用作ESD保护元件的N型MOS晶体管的栅电极的L长，由此，构成栅电极的各个梳齿统一地进入骤回动作，能够避免局部的电流集中，获得期望的ESD耐量。

但目前发光二极管的设计，如图1所示，电流容易集中在延伸电极周围附近，电流扩展性不佳，使得延伸电极负载过大，导致发光二极管发光亮度降低且发光亮度不均匀。

发明内容

为解决上述现有技术中第二电极的延伸部负载过大，导致发光亮度不均匀的不足，

第一方面，本发明实施例提供一种发光二极管，包括

外延层，所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层及设于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；

第一电极形成在所述第一半导体层上；

第二电极形成在所述第二半导体层上；

所述发光二极管具有相对的顶边和底边、相对的第一侧边和第二侧边；

所述第二电极至少包括一个起始部和两个延伸部，所述底边相对所述顶边更靠近所述第二电极的起始部，两个所述延伸部呈弧形，两个所述延伸部从所述起始部开始延伸，逐渐远离底边并分别逐渐靠近所述第一侧边和所述第二侧边；

以平行于侧边的一条中心线为基准，所述延伸部各点的切线与中心线之间均具有不高于90°的夹角，且夹角在延伸方向上逐渐递增。

在一实施例中，所述延伸部具有相对的两侧边，一侧边呈内凹形状朝向所述底边且另一侧边呈凸起形状朝向所述顶边。

在一实施例中，两个所述延伸部从起始部彼此独立延伸。

在一实施例中，所述延伸部横截面的底部宽度是2-10μm。

在一实施例中，所述延伸部末端与所述底边的距离为所述底边和所述顶边之间距离的0.15-0.6倍。

在一实施例中，延伸部末端与其最邻近侧边之间的距离是5-40μm。

在一实施例中，所述延伸部的弧形半径小于等于100μm。

在一实施例中，所述延伸部的曲率半径固定。