[发明专利]MOCVD反应腔室清扫装置及其清扫方法在审

专利信息
申请号: 202110936537.9 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN114369811A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 郗修臻;袁松;钮应喜;单卫平;赵清;左万胜;史文华;刘志远 申请(专利权)人: 芜湖启迪半导体有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C30B25/02;B08B1/04
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 马荣
地址: 241000 安徽省芜湖市弋江*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: mocvd 反应 清扫 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置包括承载盘(1),承载盘(1)上部设置擦拭部件Ⅰ(2),清理手臂(3)包括支撑部件(4)和擦拭部件Ⅱ(5),承载盘(1)下部通过合页(6)与清理手臂(3)的支撑部件(4)下部铰接,承载盘(1)侧面设置凹槽(7),凹槽(7)的凹槽表面(8)与水平面呈锐角夹角结构,所述的承载盘(1)底部设置卡槽(9),腔室本体(10)下部内表面设置旋转升降部件(11),擦拭部件Ⅰ(2)包括海绵层和无纺布层,擦拭部件Ⅱ(5)包括海绵层和无纺布层。

2.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置的旋转升降部件(11)与能够控制旋转升降部件(11)在腔室本体(10)内升降的控制部件连接。

3.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的控制部件控制旋转升降部件(11)下降到最低位置时,承载盘(1)下表面设置为能够贴合在腔室本体(10)下表面位置的结构,控制部件控制旋转升降部件(11)升起到最高位置时,擦拭部件Ⅰ(2)上表面设置为能够贴合在腔室本体(10)上表面位置的结构。

4.根据权利要求2或3所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置使用时,承载盘(1)的卡槽(9)设置为能够卡装在旋转升降部件(11)上的结构,控制部件控制旋转升降部件(11)未旋转处于静止状态时,清理手臂(3)设置为能够位于承载盘(1)侧面的凹槽(7)内的结构,控制部件控制旋转升降部件(11)旋转处于工作状态时,清理手臂(3)设置为能够离开承载盘(1)的凹槽(7)而贴合在腔室本体(10)侧壁的结构。

5.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的擦拭部件Ⅰ(2)和擦拭部件Ⅱ(5)优选清洁度和吸附性高的无纺布和弹性大的海绵,无纺布设置为包裹海绵块的结构;清理手臂(3)包括多个,多个清理手臂(3)沿在承载盘(1)侧面一周按间隙布置。

6.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置设置为能够进入腔室本体(10)的反应腔室(12)和取出腔室本体(10)的反应腔室(12)的结构,反应腔室(12)连通氩气供应部件,氩气供应部件供应氩气压强在700Torr-800Torr之间,腔室本体(10)下方设置尾气抽取部件(13)。

7.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置的承载盘(1)的直径D≤反应腔室(12)直径d,清理手臂(3)长度=MOCVD反应腔室清扫装置处于静止状态时承载盘(1)上表面到反应腔室(12)顶部的距离,凹槽(7)的凹槽表面(8)与水平面的锐角夹角为α,0°<α<30°。

8.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的承载盘(1)为石墨盘,承载盘(1)侧面到反应腔室(12)侧壁的距离H=支撑部件(4)和擦拭部件Ⅱ(5)的厚度之和。

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