[发明专利]MOCVD反应腔室清扫装置及其清扫方法在审
| 申请号: | 202110936537.9 | 申请日: | 2021-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN114369811A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | 郗修臻;袁松;钮应喜;单卫平;赵清;左万胜;史文华;刘志远 | 申请(专利权)人: | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C30B25/02;B08B1/04 |
| 代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 马荣 |
| 地址: | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mocvd 反应 清扫 装置 及其 方法 | ||
1.一种MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置包括承载盘(1),承载盘(1)上部设置擦拭部件Ⅰ(2),清理手臂(3)包括支撑部件(4)和擦拭部件Ⅱ(5),承载盘(1)下部通过合页(6)与清理手臂(3)的支撑部件(4)下部铰接,承载盘(1)侧面设置凹槽(7),凹槽(7)的凹槽表面(8)与水平面呈锐角夹角结构,所述的承载盘(1)底部设置卡槽(9),腔室本体(10)下部内表面设置旋转升降部件(11),擦拭部件Ⅰ(2)包括海绵层和无纺布层,擦拭部件Ⅱ(5)包括海绵层和无纺布层。
2.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置的旋转升降部件(11)与能够控制旋转升降部件(11)在腔室本体(10)内升降的控制部件连接。
3.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的控制部件控制旋转升降部件(11)下降到最低位置时,承载盘(1)下表面设置为能够贴合在腔室本体(10)下表面位置的结构,控制部件控制旋转升降部件(11)升起到最高位置时,擦拭部件Ⅰ(2)上表面设置为能够贴合在腔室本体(10)上表面位置的结构。
4.根据权利要求2或3所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置使用时,承载盘(1)的卡槽(9)设置为能够卡装在旋转升降部件(11)上的结构,控制部件控制旋转升降部件(11)未旋转处于静止状态时,清理手臂(3)设置为能够位于承载盘(1)侧面的凹槽(7)内的结构,控制部件控制旋转升降部件(11)旋转处于工作状态时,清理手臂(3)设置为能够离开承载盘(1)的凹槽(7)而贴合在腔室本体(10)侧壁的结构。
5.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的擦拭部件Ⅰ(2)和擦拭部件Ⅱ(5)优选清洁度和吸附性高的无纺布和弹性大的海绵,无纺布设置为包裹海绵块的结构;清理手臂(3)包括多个,多个清理手臂(3)沿在承载盘(1)侧面一周按间隙布置。
6.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置设置为能够进入腔室本体(10)的反应腔室(12)和取出腔室本体(10)的反应腔室(12)的结构,反应腔室(12)连通氩气供应部件,氩气供应部件供应氩气压强在700Torr-800Torr之间,腔室本体(10)下方设置尾气抽取部件(13)。
7.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的MOCVD反应腔室清扫装置的承载盘(1)的直径D≤反应腔室(12)直径d,清理手臂(3)长度=MOCVD反应腔室清扫装置处于静止状态时承载盘(1)上表面到反应腔室(12)顶部的距离,凹槽(7)的凹槽表面(8)与水平面的锐角夹角为α,0°<α<30°。
8.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔室清扫装置,其特征在于:所述的承载盘(1)为石墨盘,承载盘(1)侧面到反应腔室(12)侧壁的距离H=支撑部件(4)和擦拭部件Ⅱ(5)的厚度之和。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





