[发明专利]阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板

说明书

本申请提供阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板。阵列基板的修复方法包括：对第一电极与半导体层连接处的连通孔处的半导体层进行激光照射，断开第一电极与半导体层的连接。本申请的阵列基板的修复方法在消除短路缺陷的同时，不需要使电极或走线避让预定要进行修复的位置，有利于像素的集成化，从而提高分辨率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板。

背景技术

显示面板在出厂前一般需要经过点屏测试，来检测是否存在暗点或者亮点等缺陷。当检测到显示面板中存在暗点或者亮点时，需要对暗点或者亮点进行修复。

已知的一种引起暗点或者亮点的原因是显示面板的阵列基板中的驱动电路发生短路。当驱动电路发生短路时，一般是利用激光将发生短路的驱动电路中的金属走线切断。由于金属走线具有一定宽度，沿金属走线的宽度方向将金属走线切断时，激光的热量可能会破坏金属走线附近的电极或者其他走线，有可能引起二次短路。因此，在显示面板的设计时，需要使电极或者走线避让预留用于切断的金属走线的位置，预留下激光修复的空间。如果预留的空间太大，则不利于高分辨率的实现，而如果预留的空间太小，则会破坏金属走线附近的电极或者走线，对良率造成一定的影响。

发明内容

本申请目的在于提供一种能够减少预留给激光修复的空间的阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板。

本申请提供一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

半导体层；

层间绝缘层，覆盖所述半导体层，所述层间绝缘层中开设有连通孔，所述连通孔暴露出所述半导体层；以及

第一电极，设置于所述层间绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述第一电极设置于所述连通孔中与所述半导体层连接；

所述阵列基板的修复方法包括：

对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接。

在一种实施方式中，所述连通孔的孔径为2微米至10微米，所述激光照射的范围覆盖所述连通孔。

在一种实施方式中，所述阵列基板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层位于所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧且对应于所述薄膜晶体管设置，所述遮光层中开设有激光通孔，所述激光通孔对应于所述连通孔设置，且所述激光通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影位于所述连通孔的孔壁的外侧，所述缓冲层设置于所述半导体层与所述遮光层之间，所述缓冲层填充所述激光通孔，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

使激光对准所述激光通孔，从所述遮光层侧向所述半导体层侧进行激光照射。

在一种实施方式中，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：对所述阵列基板进行点屏，确定发生短路的像素；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧向所述半导体层侧进行激光照射。

在一种实施方式中，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：利用光学检测确定发生短路的像素中发生短路的薄膜晶体管；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧或者从所述层间绝缘层侧向所述半导体层侧进行激光照射。

本申请提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：