[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202110932973.9 | 申请日: | 2021-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN113690282A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 杨程;汤俊普 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置。所述显示装置包括:第一功能层、显示面板及第二功能层。所述显示面板设置在所述第一功能层上且定义有第一显示区及第二显示区,所述第二显示区包括透光区;所述第二功能层设置在所述显示面板上。所述显示装置还包括第一膜层,所述第一膜层在对应所述第二显示区的所述透光区位置上设置有无规律排布的不透明或半透明粒子。所述显示装置可以改善全面屏的屏下摄像技术的衍射问题。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示装置。
背景技术
追求高屏占比、超窄边框的“全面屏”近年来已成为小尺寸显示屏领域的热点。“全面屏”优势在于最大化的利用屏幕的显示面积,给使用者带来更好的视觉体验。手机、平板等显示装置的前置摄像头、环境光传感器、听筒和其它感光器件的位置安放问题是“全面屏”设计的难点。市场上存在的浏海屏、水滴屏和圆形挖孔屏中,因用于放置前摄元件的开孔区域没有像素,不具有显示功能,仍会使屏占比下降。目前屏下摄像头新技术应用一种高屏占比OLED显示屏设计,该屏幕对应放置成像光学模组的区域具有像素,兼具显示功能,以提高屏幕显示的完整性,成为真正的全面屏,以带来更好的视觉体验。
全面屏显示装置前部的成像光学模组设置在显示屏幕下方,对应的区域可以正常显示;此区域有以周期排列的显示单元的线路和像素等结构,最小的显示单元为像素,通常几微米到几百微米。由于这些结构为半透明或者不透明的规则排列结构,光线透过此区域到达成像光学模组时,会产生明显的衍射效应而形成衍射光斑,带来光学模组采集数据失真,成像变差等问题。
发明内容
本申请的目的在于,提供一种显示装置,用于改善全面屏的屏下摄像技术的衍射问题,进而具有更好的成像效果。
为了解决上述问题,本申请提供一种显示装置,所述显示装置包括:第一功能层;显示面板,所述显示面板设置在所述第一功能层上且包括第一显示区及第二显示区,所述第二显示区包括透光区;及第二功能层,所述第二功能层设置在所述显示面板上;
其中,所述显示装置还包括第一膜层,所述第一膜层在对应所述第二显示区的所述透光区位置上设置有无规律排布的不透明或半透明粒子。
在一些实施例中,所述第一膜层位于所述第一功能层与所述显示面板之间或所述第二功能层与所述显示面板之间的其中至少一者。
在一些实施例中,所述第一膜层为所述第一功能层或所述第二功能层的其中至少一者。
在一些实施例中,所述显示面板包括:基板,位于所述第一功能层上;有源层,所述有源层设置在所述基板上;第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖在所述有源层上;第一栅极金属层,所述第一栅极金属层设置在所述第一绝缘层上;第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖在所述第一绝缘层及所述第一栅极金属层上;第二栅极金属层,所述第二栅极金属层设置在所述第二绝缘层上;第三绝缘层,所述第三绝缘层覆盖在所述第二绝缘层及所述第二栅极金属层上;源漏极层,所述源漏极层设置在所述第三绝缘层上;及第一平坦层,所述第一平坦层覆盖在所述第三绝缘层及所述源漏极层上;所述第二功能层设置在所述第一平坦层上。
在一些实施例中,所述第一膜层与所述有源层、所述第一栅极金属层、所述第二栅极金属层以及所述源漏极层中的至少一层膜层同层。
在一些实施例中,所述第一膜层与同层的所述至少一层膜层的材料相同。
在一些实施例中,所述第一膜层与所述有源层、所述第一栅极金属层、所述第二栅极金属层以及所述源漏极层中的至少两层膜层同层,且在俯视视角下,位于不同层的所述不透明或半透明粒子相互错开。
在一些实施例中,所述第三绝缘层在对应所述第二显示区的位置上开设有无规律排布的第一通孔,所述第一膜层至少填充于所述第一通孔,所述第一膜层与所述第一平坦层同层且材料相同。
在一些实施例中,所述无规律排布的不透明或半透明粒子的形状包括矩形或圆形其中至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





