[发明专利]降低槽压降的均衡绕组扁线电机及电枢绕组的绕制方法

权利要求书

1.一种降低槽压降的均衡绕组扁线电机，包括电枢铁芯和绕设在电枢铁芯上的电枢绕组，所述电枢绕组为三相绕组，包括U相绕组、V相绕组和W相绕组，极对数为p，U相绕组、V相绕组和W相绕组在所述电枢铁芯上每极每相各自对应有Q个相槽，p≥Q，每相绕组有多个支路，其特征在于：每个支路由多个支路单元组成，每个支路单元各对应有相槽R1、相槽R2和相槽R3,所述相槽R1和相槽R2属于同一相且相邻极下的两个相槽；所述相槽R2和相槽R3属于同一相且相邻极下的两个相槽；

所述支路单元至少包括一个正向线圈和一个反向线圈；所述正向线圈以正向螺旋的方式绕设在相槽R1和相槽R2之间的电枢铁芯部分上；所述反向线圈以反向螺旋的方式绕设在相槽R2和相槽R3之间的电枢铁芯部分上，所述正向线圈和反向线圈串联连接。

2.按照权利要求1所述的一种降低槽压降的均衡绕组扁线电机，其特征在于，属于同一支路中的多个支路单元串联。

3.按照权利要求1或2所述的一种降低槽压降的均衡绕组扁线电机，其特征在于，所述相槽从槽底到槽口分为L1—Lm层，L1层为最靠近槽口的层；所述正向线圈和反向线圈的串联连接处在相槽的Lm层或L1层所处的虚拟圆柱曲面上。

4.按照权利要求1所述的一种降低槽压降的均衡绕组扁线电机，其特征在于，属于同一相的相邻两个支路的首端分别位于相邻的两个对极下属于同相的第一个相槽中。

5.按照权利要求1所述的一种降低槽压降的均衡绕组扁线电机，其特征在于，每相绕组可分为靠近电枢铁芯内圈的内层绕组部分和外层绕组部分，所述内层绕组部分和外层绕组部分的跨线距离相同。

6.一种扁线电机电枢绕组的绕制方法，电枢绕组为三相绕组，包括U相绕组、V相绕组和W相绕组，极对数为p，U相绕组、V相绕组和W相绕组在所述电枢铁芯上每极每相各自对应有Q个相槽，p≥Q，所述相槽从槽底到槽口分为L1—Lm层，L1层为最靠近槽口的层；每相绕组有多个支路，每个支路由多个支路单元串联而成，其特征在于，每个支路单元包括一个正向线圈和一个反向线圈，每个支路单元对应有相槽R1、相槽R2和相槽R3,所述相槽R1和相槽R2属于同一相且相邻极下的两个相槽；所述相槽R2和相槽R3属于同一相且相邻极下的两个相槽；

将所述正向线圈以正向螺旋的方式绕设在相槽R1和相槽R2之间的电枢铁芯部分上，其中在相槽R1内正向线圈的直线导体处于L1—Lm层中的所有奇数层，在相槽R2内正向线圈的直线导体处于L1—Lm层中的所有偶数层，正向线圈的穿线端从相槽R1的L1层进入，最后从相槽R2的Lm层穿出；将所述反向线圈以反向螺旋的方式绕设在相槽R2和相槽R3之间的电枢铁芯部分上，其中在相槽R2内正向线圈的直线导体处于L1—Lm层中的所有奇数层，在相槽R3内正向线圈的直线导体处于L1—Lm层中的所有偶数层，反向线圈的穿线端从相槽R3的Lm层进入，最后从相槽R2的L1层穿出；

从相槽R2的Lm层穿出的正向线圈的首端和相槽R3的Lm层外的反向线圈的末端串联连接。

7.按照权利要求6所述的一种扁线电机电枢绕组的绕制方法，其特征在于，同一支路中，相串联的两个支路单元，一个支路单元从相槽R2的L1层穿出的反向线圈的穿线端与同一支路中的下一个支路单元的正向线圈在另一个相槽R1的L1层的末端串联。

8.按照权利要求6所述的一种扁线电机电枢绕组的绕制方法，其特征在于，属于同一相的相邻两个支路，当一个支路绕制时，该支路的第一个支路单元的相槽R1和绕制完成的另一个支路的第一个支路单元的相槽R1分别位于相邻的两个对极下。