[发明专利]一种多面体CsPbBr3

权利要求书

1.一种多面体CsPbBr₃@CsPbX₃核壳钙钛矿异质结，其特征在于，所述核壳钙钛矿异质结中，多面体CsPbBr₃为核心，CsPbX₃为壳层，其中X为Cl或I。

2.根据权利要求1所述的核壳钙钛矿异质结，其特征在于，所述核心多面体CsPbBr₃粒径为3～5μm，壳层CsPbX₃厚度为0.5～1μm。

3.根据权利要求1所述的核壳钙钛矿异质结，其特征在于，多面体CsPbBr₃为正四面体CsPbBr₃或正方体CsPbBr₃。

4.一种权利要求1-3所述的多面体CsPbBr₃@CsPbX₃核壳钙钛矿异质结的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

在双温区管式炉的石英管1内套一个石英管2，沉积在基片上的多面体CsPbBr₃及卤化铯和卤化铅混合粉末分别置于石英管2内的两端，其中沉积在基片上的多面体CsPbBr₃位于双温区管式炉的下游区中心位置，卤化铯和卤化铅混合粉末位于双温区管式炉的上游区热电偶的中心位置，设定双温管式炉的上游区温度为540～700℃，下游区温度为270～330℃，惰性气体氛围中反应制备得到多面体CsPbBr₃@CsPbX₃核壳异质结，其中X为Cl或I。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述石英管1和所述石英管2的外径比为4：(1-3)。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，卤化铯和卤化铅等摩尔混合；所述多面体CsPbBr₃与卤化铯的摩尔比为1:0.5～2。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，控制惰性气体流速为80～150sccm；所述反应时间为10～30min。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，多面体CsPbBr₃为正四面体CsPbBr₃或正方体CsPbBr₃。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

当多面体CsPbBr₃为正四面体CsPbBr₃时，其制备为：将CsBr和PbBr₂混合后充分研磨，然后置于双温区管式炉中石英管1内的上游区热电偶的中心位置，基片放入石英管3内然后置于石英管1内下游区热电偶的中心位置，设定双温管式炉的上游区温度为580～650℃，下游区温度为300～380℃，惰性气体氛围中反应制备得到正四面体CsPbBr₃；

当多面体CsPbBr₃为正方体CsPbBr₃时，其制备为：将CsBr和PbBr₂混合后充分研磨，然后置于双温区管式炉的上游区热电偶的中心位置，基片放于下游区热电偶的中心位置，设定双温管式炉的上游区温度为580～670℃，下游区温度为320～360℃，惰性气体氛围中反应制备得到正方体CsPbBr₃。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，

制备正四面体CsPbBr₃时：CsBr和PbBr₂等摩尔混合，石英管1与石英管3的外径比为4：(1-3)；所述基片为SiO₂/Si基片；控制惰性气体流速为50～300sccm；反应时间为10～30min；

制备正方体CsPbBr₃时：CsBr和PbBr₂等摩尔混合，所述基片为SiO₂/Si基片；控制惰性气体流速为30～200sccm；反应时间为10～30min。