[发明专利]一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法

说明书

本发明公开了一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，所述方法如下：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，沿径向方向充磁，测量上表面方向上截面磁通作为参考1，测量径向方向上截面磁通作为可获取数据3，测量上表面不同位置磁强作为参考2；将参考1和2导入数据库A，将可获取数据3导入数据库B；对于某装配到电器元件当中的扇形永磁体，测量上表面截面磁通和表面磁强，作为实测数据；将实测数据与数据库A进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得数据库B中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。本发明为不破坏电磁机构就能测量扇形永磁体截面磁通提供了可行方案。

技术领域

本发明涉及一种电器元件内部永磁体磁性能测量方法，具体涉及一种在电器元件内部的扇形永磁体截面磁通的间接测量方法。

背景技术

目前，扇形永磁体由于其形状的特殊性，无论是充磁方式还是性能参数测量都与其他形状永磁体如条形永磁体、圆柱形永磁体等都存在着较为明显的差异。在实际测量扇形永磁体截面磁通时要考虑其形状，针对不同方向上的截面选择不同的磁通测量线圈。

而对于已经装配到电器元件中的扇形永磁体，可观察和测量的只有扇形永磁体的上表面或者是靠近内径侧的部分端部，无法通过利用磁通线圈的方式测量其内部不同方向不同位置的截面磁通。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的上述问题，本发明提供了一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，包括如下步骤：

步骤S1：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，利用永磁体截面磁通测量装置，沿永磁体上表面方向，选取若干上表面截面并测量各个上表面截面在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及不同程度退磁情况下的上表面截面磁通作为参考1，沿永磁体径向选取若干径向截面并测量各个径向截面在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及不同程度退磁情况下的径向截面磁通作为可获取磁通数据3；

步骤S2：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，利用永磁体表面磁强测量装置，测量永磁体上表面不同位置在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及不同程度退磁情况下的上表面磁强作为参考2；

步骤S3：将参考1、参考2两部分数据导入数据库A作为参考，将可获取磁通数据3作为数据库B；

步骤S4：对于某待测永磁体，在其可观察和测量的上表面选取若干截面以及若干磁强测试点，利用截面磁通测量装置和表面磁强测量装置测量在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及不同程度退磁情况下的截面磁通和表面磁强，作为实测数据；

步骤S6：将实测数据与数据库A中的参考1和参考2进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得数据库B中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。

相比于现有技术，本发明具有如下优点：

本发明提供了一种针对电器元件内部扇形永磁体不同位置截面磁通的测量方式，由于电器元件内部可测量部分表面在非充磁方向上，本测量方法为不破坏电磁机构就能间接获取永磁体沿径向方向上不同截面的截面磁通提供了可行方案，便于确定电器元件内部扇形永磁体磁性能状态以及为后续永磁体局部工作点计算提供基础。

附图说明

图1为本发明扇形永磁体截面磁通间接测试方法流程图；

图2为扇形永磁体在径向充磁情况下上表面截面划分示意图；

图3为扇形永磁体上表面方向截面磁通测量原理图；

图4为扇形永磁体径向方向截面磁通测量原理图；

图5为扇形永磁体上表面方向表面磁强测量原理图；