[发明专利]一种周围神经损伤修复系统有效
| 申请号: | 202110925337.3 | 申请日: | 2021-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN113577382B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
| 发明(设计)人: | 张志珺;焦娇;黄金健;王峰;孔岩 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | A61L27/26 | 分类号: | A61L27/26;A61L27/52;A61L27/54;A61N2/04 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 刘慧 |
| 地址: | 210024 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 周围神经 损伤 修复 系统 | ||
本发明公开一种周围神经损伤修复系统,属于周围神经损伤修复领域;一种周围神经损伤修复系统包括神经导管制备、神经导管搭载NGF‑7S以及神经导管搭载NGF‑7S联合磁刺激应用;一个由海藻酸盐/钙离子、聚丙烯酰胺和聚吡咯组成的三重网络微流控水凝胶神经导管,负载NGF‑7S,在8字形线圈产生的脉冲磁场中可以引起导电神经导管产生可变电动势,帮助施旺细胞的定向生长迁移,非侵入性地促进髓鞘形成,通过搭载NGF‑7S的缓慢控释和施旺细胞的内源性分泌神经生长因子(NGF)共同促进神经细胞生长分化,神经导管搭载NGF‑7S联合磁刺激能促进坐骨神经缺损大鼠的神经再生和功能恢复。
技术领域
本发明属于周围神经损伤修复领域,具体涉及一种周围神经损伤修复系统。
背景技术
自体神经移植技术因其移植物来源少,取材带来的二次损伤、神经瘤、神经痛等并发症,因此在短距离周围神经缺损中,指南推荐使用神经导管进行修复;同时过去的研究已经发现短距离(<3cm)神经缺损可以通过中空硅胶管等材料进行神经修复,但是这种修复是极其缓慢的;同时Hirohisa等报告说,大约10%的病人在神经导管治疗后无法达到有意义的功能恢复,这个数值在Weber和他的同事的研究中达到了26%;说明临床中仍有一大批患者无法从现有的神经导管治疗中获益;既往研究有人报道可以通过对导管外接电极施加电场的方式提高神经修复效率,但是外接电极本身会造成二次创伤,其影响患者创口护理难度、增加患者不适感,也容易导致感染;本申请采用磁刺激联合导电神经导管的方法,利用电磁感应弥补了这一领域内的难题,在不外接电极的情况下,促进神经修复。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种周围神经损伤修复系统,通过磁刺激联合神经导管干预的方法实现周围神经损伤修复加速。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种周围神经损伤修复系统,其特征在于,包括:神经导管制备、神经导管搭载NGF-7S以及神经导管搭载NGF-7S联合磁刺激应用。
进一步地,所述神经导管是由海藻酸盐/钙离子、聚丙烯酰胺和聚吡咯组成的三重网络微流控水凝胶神经导管。
进一步地,所述神经导管为中空纤维。
进一步地,所述神经导管搭载NGF-7S的步骤为:
S1:向所述神经导管内部中空管道注射以5-20μg/mL溶解于磷酸盐缓冲液的NGF-7S;
S2:5-30min后向管腔内注入空气,冲掉残留的NGF-7S溶液。
进一步地,所述磁刺激采用经颅磁刺激治疗仪,在距离伤处约5-10cm高,以30%最大输出,1700总脉冲,10Hz刺激0.5s,间歇3s的方式进行磁刺激,1天2次。
进一步地,一种神经导管在周围神经损伤修复中的应用,包括:神经导管搭载NGF-7S后,再和磁刺激联合应用在周围神经上。
进一步地,一种利用同轴微流控设备制造神经导管的方法,所述同轴微流控设备包括微流体泵、速度调节器、内喷嘴、外喷嘴和导管收集器,其特征在于,所述方法包括:
S1:在内喷嘴中灌入0.5-5.0wt%的Ca2+离子溶液,外喷嘴中通入1-10wt%的海藻酸钠、0.1-1wt%光引发剂I-2959、5-20wt%丙烯酰胺、0.01-0.10wt%亚甲基双丙烯酰胺和1-10v/v%聚吡咯混合溶液,收集器中盛有由0.5-5.0wt%的Ca2+离子溶液、0.1-1wt%的光引发剂I-2959,5-20wt%的丙烯酰胺、0.01-0.10wt%的亚甲基双丙烯酰胺;
S2:将神经导管从收集器中移走,然后暴露在紫外线下2分钟。
进一步地,所述紫外线波长采用365nm,功率密度为6.0W/cm2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110925337.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





