[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110923194.2 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113851504A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;沈香谷;王良玮;黄镇球;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一介电层，上述介电层包括一顶部表面；
多个磁阻式存储器单元，设置于上述介电层中，其中上述磁阻式存储器单元包括多个顶部电极，且上述顶部电极的多个顶部表面与上述介电层的上述顶部表面共平面；
一第一蚀刻停止层，设置于上述介电层上方；
一共同电极，延伸穿过上述第一蚀刻停止层以直接接触上述顶部电极；以及
一第二蚀刻停止层，设置于上述第一蚀刻停止层以及上述共同电极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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