[发明专利]一种使用寿命长导电性强的太阳能电池片

说明书

本发明公开了一种使用寿命长导电性强的太阳能电池片，包括晶硅体、抗腐蚀层、正四棱锥槽体、导体屏蔽层、氮氧化硅减反膜、二氧化硅减反膜、减反层和背钝化膜层。本发明能够提高电池片主体抗腐蚀、抗氧化的能力，提高电池片主体的导电能力和屏蔽干扰能力，光能的使用效率高。

【技术领域】

本发明涉及光伏电池片的技术领域，特别是一种使用寿命长导电性强的太阳能电池片的技术领域。

【背景技术】

太阳能电池片的转换效率一般定义为电池片的输出功率与入射到电池片表面的太阳光总功率之比，我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。晶硅电池片在实际过程中，其导电性十分重要，一般传统的晶硅电池片导电效果有待提高，同时外界的环境对会晶硅电池片造成一定的腐蚀和伤害，从而影响晶硅电池片的使用寿命。

【发明内容】

本发明的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种使用寿命长导电性强的太阳能电池片，能够提高电池片主体抗腐蚀、抗氧化的能力，提高电池片主体的导电能力和屏蔽干扰能力，光能的使用效率高。

为实现上述目的，本发明提出了一种使用寿命长导电性强的太阳能电池片，包括晶硅体、抗腐蚀层、正四棱锥槽体、导体屏蔽层、氮氧化硅减反膜、二氧化硅减反膜、减反层和背钝化膜层，所述晶硅体的表面设置有抗腐蚀层，所述晶硅体的上表面均匀分布有多个正四棱锥槽体，所述晶硅体的上表面设置有导体屏蔽层，所述导体屏蔽层的外侧设置有氮氧化硅减反膜和二氧化硅减反膜复合的减反层，所述晶硅体的下表面设置有氮氧化硅和氮化硅复合的背钝化膜层。

作为优选，所述抗腐蚀层为为镀锡层或镀锌层中的任意一种，所述抗腐蚀层的厚度为1.5微米—2.5微米。

作为优选，所述导体屏蔽层为铝铜合金层，所述导体屏蔽层的厚度为80-90微米。

作为优选，所述减反层的外表面上涂抹有透明的耐磨涂层。

作为优选，所述正四棱锥槽体的深度为30-35微米，所述正四棱锥槽体的顶部宽度为40-50微米。

作为优选，所述减反层的氮氧化硅减反膜和二氧化硅减反膜的厚度相同。

作为优选，所述背钝化膜层的厚度为100-120微米。

作为优选，所述正四棱锥槽体的底部横截面形状为圆弧形。

作为优选，所述晶硅体为单晶硅方形电池片基体。

本发明的有益效果：本发明通过将晶硅体、抗腐蚀层、正四棱锥槽体、导体屏蔽层、氮氧化硅减反膜、二氧化硅减反膜、减反层和背钝化膜层结合在一起，经过试验优化，能够提高电池片主体抗腐蚀、抗氧化的能力，提高电池片主体的导电能力和屏蔽干扰能力，光能的使用效率高。

本发明的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。

【附图说明】

图1是本发明一种使用寿命长导电性强的太阳能电池片的结构示意图。

图中：1-晶硅体、2-抗腐蚀层、3-正四棱锥槽体、4-导体屏蔽层、5-氮氧化硅减反膜、6-二氧化硅减反膜、7-减反层、8-背钝化膜层。

【具体实施方式】