[发明专利]一种用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构

说明书

本发明公开了一种用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构。引线框架包括承载片、可沉铜油墨层和复数个按矩阵布置的单元电路，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极，顶电极布置在可沉铜油墨层的顶面上，底电极布置在可沉铜油墨层的底面上；电极包括布置在可沉铜油墨层中的金属化过孔，顶电极与底电极通过金属化过孔连接；承载片可剥离地粘贴在可沉铜油墨层和底电极的底面上。本发明引线框架的顶电极与底电极之间有可沉铜油墨层隔开，两者仅通过金属化过孔连接，顶电极的尺寸和形状不受底电极的限制，单元电路的布线较为方便。

[技术领域]

本发明涉及芯片封装，尤其涉及一种用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构。

[背景技术]

引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。

申请号为CN202011273348.X用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构的发明公开了一种用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构。引线框架包括承载片、阻焊油墨层和复数个按矩阵布置的单元电路，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极；顶电极布置在阻焊油墨层的顶面；对应于每个单元电路，阻焊油墨层包括与电极对应的底电极孔，底电极布置在底电极孔中，底电极的顶部固定在顶电极的底面上；承载片可剥离地粘贴在阻焊油墨层和底电极的底面上。

该发明的底电极直接固定在顶电极的底面上，底电极与顶电极之间没有耐蚀层隔开，顶电极的横向尺寸必须大于底电极的横向尺寸，而且两者不能错开，单元电路顶电极之间的空间狭小。难以布置较多的走线。

[发明内容]

本发明要解决的技术问题是提供一种单元电路顶电极之间的空间较大，便于布线的用于芯片封装的引线框架。

本发明另一个要解决的技术问题是提供一种上述引线框架的制备方法。

本发明另一个要解决的技术问题是提供一种顶电极之间的空间较大，便于布线的芯片封装结构。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是，一种用于芯片封装的引线框架，包括承载片、可沉铜油墨层和复数个按矩阵布置的单元电路，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极，顶电极布置在可沉铜油墨层的顶面上，底电极布置在可沉铜油墨层的底面上；电极包括布置在可沉铜油墨层中的第一金属化过孔，顶电极与底电极通过第一金属化过孔连接；承载片可剥离地粘贴在可沉铜油墨层和底电极的底面上。

以上所述的用于芯片封装的引线框架，单元电路包括基岛，基岛包括上基岛、下基岛和布置在可沉铜油墨层中的第二金属化过孔；上基岛布置在可沉铜油墨层的顶面上，下基岛布置在可沉铜油墨层的底面上，上基岛与下基岛通过第二金属化过孔连接；承载片可剥离地粘贴在下基岛的底面上。

以上所述的用于芯片封装的引线框架，包括阻焊油墨层，阻焊油墨层覆盖在可沉铜油墨层和顶电极的上方，阻焊油墨层包括与单元电路对应的窗口，顶电极的焊盘裸露于所述的窗口中。

一种上述引线框架的制备方法，包括以下步骤：

401)在铜箔的顶面贴承载膜，在铜箔的底面印刷可沉铜油墨层；

402)在可沉铜油墨层上光刻或激光镭射出第一过孔，对第一过孔电镀金属填孔，形成所述的第一金属化过孔；在可沉铜油墨层的底面金属化镀铜，形成镀铜层；

403)在镀铜层的底面上覆盖第一感光膜，第一感光膜通过光刻制作出与底电极对应的、镂空的图形；对镀铜层蚀刻，在可沉铜油墨层的下方形成底电极；

404)将承载片可剥离地粘贴在可沉铜油墨层和底电极的底面上，将铜箔顶面的承载膜剥离，在铜箔顶面覆盖第二感光膜；