[发明专利]高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路

权利要求书

1.一种共模抑制电路，其特征在于，应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器，所述共模抑制电路包括：副边绕组同名端的共模抑制单元以及副边绕组异名端的共模抑制单元；

所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元在所述信号变压器出现共模电压信号时，分别用于以所述IGBT隔离驱动器中与所述共模抑制单元相连的相应比较器输出电平为低作为控制目标，将所述副边绕组同名端和所述副边绕组异名端上的共模电流进行旁路。

2.根据权利要求1所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元的结构相同。

3.根据权利要求2所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组同名端的共模抑制单元，包括：第一电阻、第二电阻、第一开关管以及第二开关管；其中：

所述第一电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连；所述第一电阻的另一端分别与所述第一开关管的控制端、所述第一开关管的第二端以及所述第二开关管的控制端相连；

所述第一开关管的第一端与所述第二开关管的第一端相连，并接地；

所述第二开关管的第二端与所述第二电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；

所述第二电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连。

4.根据权利要求3所述的共模抑制电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管均为NMOS管，或者，均为三极管。

5.根据权利要求2所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组异名端的共模抑制单元，包括：

第三电阻、第四电阻、第三开关管以及第四开关管；其中：

所述第三电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连；所述第三电阻的另一端分别与所述第三开关管的控制端、所述第三开关管的第二端以及所述第四开关管的控制端相连；

所述第三开关管的第一端与所述第四开关管的第一端相连，并接地；

所述第四开关管的第二端与所述第四电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；

所述第四电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连。

6.根据权利要求5所述的共模抑制电路，其特征在于，所述第三开关管和所述第四开关管均为NMOS管，或者，均为三极管。

7.根据权利要求2所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组同名端的共模抑制单元，包括：

第一运算放大器、第五电阻、第六电阻以及第五开关管；其中：

所述第一运算放大器的同相输入端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连；所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一运算放大器的输出端以及所述第五电阻的一端相连；

所述第五电阻的另一端与所述第五开关管的控制端相连；

所述第五开关管的第二端与所述第六电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；

所述第五开关管的第一端接地；

所述第六电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连。

8.根据权利要求7所述的共模抑制电路，其特征在于，所述副边绕组异名端的共模抑制单元，包括：

第二运算放大器、第七电阻、第八电阻以及第六开关管；其中：

所述第二运算放大器的同相输入端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连；所述第二运算放大器的反相输入端分别与所述第二运算放大器的输出端以及所述第七电阻的一端相连；

所述第七电阻的另一端与所述第六开关管的控制端相连；

所述第六开关管的第二端与所述第八电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；

所述第六开关管的第一端接地；

所述第八电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连。