[发明专利]一种自举驱动双路正负压独立可调电源电路在审

专利信息
申请号: 202110909548.8 申请日: 2021-08-09
公开(公告)号: CN113630001A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 廖鸣宇;龙江;李中原;郑和俊;陆斐;袁琼芝 申请(专利权)人: 贵州航天林泉电机有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M1/088
代理公司: 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 刘宇宸
地址: 550000 贵州*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 正负 独立 可调 电源 电路
【说明书】:

一种自举驱动双路正负压独立可调电源电路,由第一MOS管Q1、第一电感L1、第一电容C1、第三MOS管Q3、第二电感L2和第二电容C2组成正极性输出DC‑DC变换器,由第二MOS管Q2、第三电感L3、第三二极管D3和第三电容C3组成负极性输出DC‑DC变换器,通过本发明的实施,可为驱动芯片提供正负压供电,其低纹波高转换效率保证了驱动电路的稳定性和可靠性,同时该电路的输出正负电压可独立可调,应用灵活,可用于使用双电源供电的运算放大器、LED显示器等。

技术领域

本发明涉及电子电路领域,具体为一种自举驱动双路正负压独立可调电源电路。

背景技术

随着信息化的大规模普及和电子设备的快速发展,对电源的性能要求越来越高,对其功率密度和转换效率的要求也越来越高,但在电能的转换中电压和频率会有所波动,使得转换的效率不尽如人意,随着产品对频率的要求越来越高,传统的技术利用肖特基二极管和IGBT做电能变换已不能满足性能要求,氮化镓器件化学稳定性好,耐高温,散热性好,适合在大功率下工作,氮化镓材料的研究与应用是当今半导体领域的热点,其频率和功率特性远超硅、碳化硅、及其他所有半导体器件,氮化镓芯片体积小,集成度高,可以大大提高转换效率,应用于电力电子技术中的众多领域,如开关电源、逆变器、整流器、变频器等。因此氮化镓开关器件将成为今后代替MOS管的主流开关器件。但GaN芯片需要提供幅值不同,相位不同的工作电压,这对驱动芯片提出了很高的供电要求,而驱动电路直接影响到开关器件的性能。因此,亟需提供一种可具备自举功能,同时实现双路正负压输出的电源电路。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供了一种自举驱动双路正负压独立可调电源电路。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种自举驱动双路正负压独立可调电源电路,包括正压输出端Vout+与负压输出端Vout-,第一MOS管Q1、第一电感L1、第一电容C1、第三MOS管Q3、第二电感L2、第二电容C2、第二MOS管Q2、第三电感L3、第三二极管D3、第三电容C3、第一驱动单元U1和第二驱动单元U2;

所述第一MOS管Q1、第一电感L1、第一电容C1、第三MOS管Q3、第二电感L2和第二电容C2组成正极性输出DC-DC变换器,第一MOS管Q1的G极与第一驱动单元U1的驱动端连接,D极连接至电源VCC端,S极与第一驱动单元U1的GND端连接;第一电感L1的一端连接至第一MOS管Q1的S极,另一端接地;第一电容C1的一端连接至第一MOS管Q1的S极,另一端与第三MOS管Q3的D极连接;第三MOS管Q3的G极空置,S极接地;第一驱动单元U1的VCC端连接至电源VCC;第二电感L2的一端连接至第三MOS管Q3的D极,另一端连接至正压输出端Vout+;第二电容C2一端接地,另一端连接至正压输出端Vout+

所述第二MOS管Q2、第三电感L3、第三二极管D3和第三电容C3组成负极性输出DC-DC变换器,第二MOS管的G极与第二驱动单元U2的驱动端连接,S极连接至第二驱动单元U2的GND端,D极连接至电源VCC端;第二驱动单元U2的VCC端连接至电源VCC端;第三电感的一端与第二MOS管的S极连接,另一端接地;第三二极管D3的正极与负压输出端Vout-连接,负极与第二MOS管Q2的S极连接;第三电容C3的一端与负压输出端Vout-连接,另一端接地。

进一步的,还包括第一二极管D1与第二二极管D2,所述第一二极管D1的正极与电源VCC连接,负极与第一驱动单元U1的VCC端连接;第二二极管D2的正极与电源VCC连接,负极与第二驱动单元U2的VCC端连接。

进一步的,还包括第一电阻R1,所述第一电阻R1一端与第一二极管的负极连接,另一端连接至第一驱动单元U1的VCC端。

进一步的,还包括第二电阻R2,所述第二电阻R2一端与第二二极管的负极连接,另一端连接至第二驱动单元U2的VCC端。

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