[发明专利]半导体器件封装结构及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件封装结构及其制造方法，本发明提供的半导体器件封装结构，包括：封装基板；位于封装基板上的半导体器件；以及，覆盖半导体器件的塑封体，塑封体具有一个相对于半导体器件远离封装基板的表面；其中，塑封体的表面开设有具有预设图案的一条或多条沟槽，从而提高半导体器件封装结构整体的应变能力，避免封装结构因外部而来的应力导致其整体出现断裂情况。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件封装结构及其制造方法。

背景技术

在现有半导体技术领域中，半导体芯片在制造出来后，在没有进行封装工艺之前，始终都处于周围环境的威胁之中，因此在使用时，需要将半导体芯片加以封装保护以避免外部环境造成的影响，对应的封装结构可以为半导体芯片提供牢固可靠的机械支撑，并能适应各种工作环境的变化。

现有的半导体器件封装结构一般包括塑封体、半导体芯片和封装基板，其一般具有较高的刚度，然而在移动应用的场景中，由于外力作用而使封装结构总体产生较大的形变时，其应变能力的不足而导致封装结构整体的折断，从而使器件本身产生功能性失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件封装结构及其制造方法，用于解决现有封装结构应变能力不足而导致封装结构整体的折断，从而使器件本身产生功能性失效的问题。

为了解决上述问题和/或其他问题，本发明提供了一种半导体器件封装结构，包括：

封装基板；位于所述封装基板上的半导体器件；以及，覆盖所述半导体器件的塑封体，所述塑封体具有一个相对于所述半导体器件远离所述封装基板的表面；其中，所述塑封体的所述表面开设有具有预设图案的一条或多条沟槽。

在一实施例中，所述沟槽被布置在所述塑封体的应力集中区。

在一实施例中，所述预设图案包括十字形、同心圆形、回字形或网格形中的一种或多种。

在一实施例中，所述半导体器件封装结构还包括：

位于所述封装基板内的多层连接线；位于所述塑封体内的导电连接线，所述导电连接线的两端分别与所述半导体器件和所述多层连接线电连接。

在一实施例中，所述半导体器件封装结构还包括：

位于所述封装基板背离所述塑封体的表面的焊球，所述焊球与所述多层连接线电连接。

在一实施例中，所述沟槽的深度范围为10μm～50μm。

在一实施例中，所述沟槽的宽度范围为10μm～30μm。

在一实施例中，所述半导体器件包括三维存储器。

在一实施例中，所述塑封体的材料包括环氧树脂。

本发明还提供一种半导体器件封装结构的制造方法，具体包括如下步骤：提供封装基板；在所述封装基板上设置半导体器件；形成覆盖于所述半导体器件的塑封体，所述塑封体具有一个相对于所述半导体器件远离所述封装基板的表面；在所述塑封体的所述表面开设具有预设图案的一条或多条沟槽。

在一实施例中，所述沟槽被布置在所述塑封体的应力集中区。在一实施例中，所述具有预设图案包括十字形、同心圆形、回字形或网格形中的一种或多种。

在一实施例中，所述封装基板内具有多层连接线；所述形成覆盖于所述半导体器件的塑封体之前还包括如下步骤：

形成导电连接线，电连接所述半导体器件和所述多层连接线。

在一实施例中，所述半导体器件封装结构的制造方法还包括如下步骤：

形成焊球于所述封装基板背离所述半导体器件的表面，电连接所述焊球与所述多层连接线。