[发明专利]一种光控全无机EWOD器件有效
| 申请号： | 202110907862.2 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113634293B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 周嘉;刘恩清;刘安 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光控 无机 ewod 器件 | ||
1.一种光控全无机EWOD器件，其特征在于，包括：
衬底以及由下往上依次设置于所述衬底上的无机光导电层、无机介质层和超疏水表面层，
其中，所述无机光导电层的两端刻蚀有偏置电极，通过在两端的所述偏置电极上施加电压，再利用投影仪将设定的暗条纹图案照射在器件上，在不同光照下，基于光暗对比下产生感应电压降，形成可编程的虚拟电极来驱动液滴，
所述超疏水表面层直接在所述无机介质层上刻蚀形成。
2.根据权利要求1所述的光控全无机EWOD器件，其特征在于：
其中，所述超疏水表面层采用超疏水微纳阵列，该超疏水微纳阵列由多个微柱排列组成，且各个所述微柱的直径为1μm～2μm，相邻两个所述微柱之间的间距为1μm～2μm。
3.根据权利要求2所述的光控全无机EWOD器件，其特征在于：
其中，所述超疏水微纳阵列采用的材料为硅、氧化锌或二氧化钒。
4.根据权利要求1所述的光控全无机EWOD器件，其特征在于：
其中，所述衬底采用玻璃衬底。
5.根据权利要求1所述的光控全无机EWOD器件，其特征在于：
其中，两个所述偏置电极分别与电源的正极和负极相连接。
6.根据权利要求1所述的光控全无机EWOD器件，其特征在于：
其中，所述无机光导电层采用光导电薄膜。
7.根据权利要求6所述的光控全无机EWOD器件，其特征在于：
其中，所述光导电薄膜的材料为二氧化钒、非晶硅、多晶硅、单晶硅或氧化锌，
所述光导电薄膜的沉积方式为辉光放电沉积或者磁控溅射沉积中的一种。
8.根据权利要求1所述的光控全无机EWOD器件，其特征在于：
其中，所述无机介质层采用的材料为二氧化硅、氮化硅或五氧化二钽。
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