[发明专利]晶片配准及重叠测量系统以及有关方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

向晶片施加磁场；

检测来自所述晶片内的至少一个配准标记的响应；

响应于所检测到的响应，确定所述至少一个配准标记的位置；以及

至少部分地基于所述至少一个配准标记的已确定位置，计算所述晶片的两个或更多个层级之间的位置偏移。

2.根据权利要求1所述的方法，其中检测来自所述晶片内的至少一个配准标记的响应包括确定从所述至少一个配准标记发射的残余磁场。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括光学地确定至少一个额外配准标记的位置。

4.根据权利要求3所述的方法，其中至少部分地基于所述至少一个配准标记的所述已确定位置和所述至少一个额外配准标记的已确定位置，计算所述晶片的所述两个或更多个层级之间的所述位置偏移。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括沉积铁磁或反铁磁性材料或能够与所述晶片内的磁场交互的任何其它材料或结构以形成所述至少一个配准标记。

6.根据权利要求5所述的方法，其中沉积所述铁磁或反铁磁性材料或能够与所述晶片内的磁场交互的任何其它材料或结构包括：

在所述晶片内的参考层级处形成至少一个凹槽；以及

用所述铁磁或反铁磁性材料或能够与磁场交互的任何其它材料或结构填充所述至少一个凹槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中检测来自所述晶片内的至少一个配准标记的所述响应包括：

使传感器到达所述晶片的表面上方的测量部位处；

检测所述传感器与所述至少一个配准标记之间的交互；以及

响应于所检测到的交互，确定所述至少一个配准标记的所述响应。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括对所述晶片的所述至少一个配准标记进行退磁。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

捕获从所述晶片的表面反射的光；以及

基于所捕获的光，确定至少一个额外配准标记的位置。

10.根据权利要求1所述的方法，其中向所述晶片施加所述磁场包括向单个配准标记施加所述磁场。

11.根据权利要求1所述的方法，其中向所述晶片施加所述磁场包括一次一个地向一序列配准标记施加所述磁场。

12.根据权利要求1所述的方法，其中向所述晶片施加所述磁场包括向一组配准标记的一部分施加所述磁场。

13.根据权利要求1所述的方法，其中向所述晶片施加所述磁场包括向一组配准标记的全部施加所述磁场。

14.一种配准系统，其包括：

传感器，其经配置以检测晶片的不可见元件的磁属性；以及

控制器，其可操作地耦合到所述传感器，所述控制器包括：

至少一个处理器；以及

至少一个非暂时性计算机可读存储媒体，在其上存储指令，所述指令当由所述至少一个处理器执行时致使所述控制器：

从所述传感器接收与所述不可见元件的所检测到的磁属性有关的数据；

响应于与所检测到的磁属性有关的所接收数据，确定所述不可见元件在所述晶片内的至少一些位置；以及

响应于至少一个不可见元件的已确定位置，计算所述晶片的两个层级之间的位置偏移。

15.根据权利要求14所述的配准系统，其进一步包括磁源，所述磁源经定位并经配置以向所述晶片的至少一部分施加磁场。

16.根据权利要求15所述的配准系统，其中所述磁源包括电感器。