[发明专利]一种高集成2.5D封装结构及其制造方法

说明书

本发明涉及芯片封装技术领域，具体为一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，包括Package Substrate和埋die的硅Interposer，所述埋die的硅Interposer的上下表面均开设有凹槽，所述埋die的硅Interposer的凹槽内设置有预埋芯片，埋die的硅Interposer和预埋芯片之间设置有胶水，埋die的硅Interposer的下表面设置有Package Substrate，埋die的硅Interposer的上表面的右侧设置有逻辑芯片，埋die的硅Interposer的上表面的左侧设置有HBM芯片，同时在埋die的硅Interposer的顶面和底面时贴装多个预埋芯片，提高产品电性表现，缩短了芯片和芯片之间的导通回路，方便提高电性能，通过堆叠或并排放置在具有硅通孔的埋die的硅Interposer顶部，埋die的硅Interposer可提供芯片之间的互联，从而增加整个2.5D封装的集成度。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体为一种高集成2.5D封装结构及其制造方法。

背景技术

封装技术伴随集成电路发明应运而生，主要功能是完成电源分配、信号分配、散热和保护，伴随着芯片技术的发展，封装技术不断革新，封装互连密度不断提高，封装厚度不断减小，三维封装、系统封装手段不断演进，随着集成电路应用多元化，智能手机、物联网、汽车电子、高性能计算、5G、人工智能等新兴领域对先进封装提出更高要求，封装技术发展迅速，创新技术不断出现，为解决有机基板布线密度不足的问题，带有TSV垂直互连通孔和高密度金属布线的硅Interposer应运而生，应用TSV转接板的封装结构称为2.5DInterposer，2.5D封装技术也称为晶圆级封装，2.5D封装技术是把芯片封装到硅转接板上，并使用硅转接板上的高密度走线进行互联，随着半导体工业的发展，封装内芯片通过金线键合底层封装体到基板上，同样的，上层封装中的芯片通过金线再将两个封装层之间的基板键合，然后整个封装成一个整体的封装体，2.5D封装是传统2DIC封装技术的进步，可实现更精细的线路与空间利用。

在2.5D Interposer封装中，若干个芯片并排排列在Interposer上，但众多的裸片堆叠或并排放置在具有硅通孔(TSV)的中介层顶部，仍然使得封装的集成度增加的有限，因此对于高集成的高速产品封装需求，提出一种结构，增加封装集成度同时，有效缩短多个芯片间信号以及电源网络的通路，从而方便进一步提高电性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高集成2.5D封装结构及其制造方法，包括Package Substrate和埋die的硅Interposer，所述埋die的硅Interposer的上下表面均开设有凹槽，所述埋die的硅Interposer的凹槽内设置有预埋芯片，埋die的硅Interposer和预埋芯片之间设置有胶水，埋die的硅Interposer的下表面设置有PackageSubstrate，埋die的硅Interposer的上表面的右侧设置有逻辑芯片，埋die的硅Interposer的上表面的左侧设置有HBM芯片。

优选的，所述埋die的硅Interposer的上表面的中间开设有凹槽，埋die的硅Interposer的下表面的两侧均开设有凹槽，且下表面的两个凹槽呈对称分布，埋die的硅Interposer的凹槽的形状和预埋芯片的形状一致。

优选的，所述埋die的硅Interposer的两端均开设有硅通孔(TSV)，埋die的硅Interposer和预埋芯片之间的缝隙通过胶水填充，胶水将预埋芯片固定在埋die的硅Interposer的凹槽中。

优选的，所述埋die的硅Interposer上扇出有线路层。