[发明专利]一种确定硅片导电类型的方法在审
| 申请号： | 202110902930.6 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113655094A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 魏星;李名浩;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 谢栒 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 确定 硅片 导电 类型 方法 | ||
1.一种确定硅片导电类型的方法，其特征在于，所述方法包括：
测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；
将所述硅片在空气中放置预设时间；
放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；
通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型。
2.根据权利要求1所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型包括：
若所述第一电阻率小于所述第二电阻率，则所述硅片为N型；
若所述第一电阻率大于所述第二电阻率，则所述硅片为P型。
3.根据权利要求1所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，在得到所述第一电阻率之前，所述方法还包括：
对所述硅片进行快速热处理，以去除所述硅片中的热施主。
4.根据权利要求3所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，所述快速热处理的温度范围为750℃-1250℃，时间范围为30-50s。
5.根据权利要求1所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，通过直排四探针测量所述硅片的所述第一电阻率和所述第二电阻率。
6.根据权利要求1所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，所述预设时间的范围为1h-168h。
7.根据权利要求1所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，所述硅片为电阻率高于500ohm-cm的硅片。
8.根据权利要求1所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，所述硅片为单晶硅硅片。
9.根据权利要求1所述的确定硅片导电类型的方法，其特征在于，将所述硅片在空气中放置预设时间，以使所述硅片的表面发生自然氧化和/或化学吸附。
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