[发明专利]晶圆结构

权利要求书

1.一种晶圆结构，包含：

一芯片基板，为一硅基材，以半导体制程制出；

多个喷墨芯片，包含至少一第一喷墨芯片及至少一第二喷墨芯片以半导体制程制直接生成于该芯片基板上，并切割成该至少一第一喷墨芯片及该至少一第二喷墨芯片，实施应用于喷墨打印；

该第一喷墨芯片及该第二喷墨芯片分别包含：

多个墨滴产生器，以半导体制程制出生成于该芯片基板上，且每一该墨滴产生器包含一障壁层、一供墨腔室及一喷孔，而该供墨腔室及该喷孔一体成型生成于该障壁层中；

其中，每一该墨滴产生器，进一步包含一热障层、一加热电阻层、一保护层，而该热障层形成于该芯片基板上，该加热电阻层形成于该热障层上，而该保护层的一部分形成于该加热电阻层上，而该障壁层形成于该保护层上，且该供墨腔室底部连通该保护层，该供墨腔室顶部连通该喷孔，该热障层的厚度为500～5000埃，该保护层的厚度为150～3500埃，该加热电阻层的厚度为100～500埃，该加热电阻层的长度为5～30微米，该加热电阻层的宽度为5～10微米。

2.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，每一该墨滴产生器，进一步包含一导电层，该导电层及该保护层的一部分形成于该加热电阻层上，且该保护层的其他部分形成于该导电层上。

3.如权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，该多个喷墨芯片包含至少一供墨流道及多个岐流道以半导体制程制出，其中该供墨流道提供一墨水，以及该供墨流道连通多个该岐流道，且多个该岐流道连通每个该墨滴产生器的该供墨腔室。

4.如权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以90纳米以下的半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

5.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以90～65纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

6.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以65～45纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

7.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以45～28纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

8.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以28～20纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

9.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以20～12纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

10.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以12～7纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

11.如权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体以7～2纳米半导体制程制出形成一喷墨控制电路。

12.如权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体为金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极。

13.如权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体为互补式金属氧化物半导体的一栅极。

14.如权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，该导电层所连接的导体为N型金属氧化物半导体的一栅极。

15.如权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于，该供墨流道为至少1个至6个。

16.如权利要求15所述的晶圆结构，其特征在于，该供墨流道为1个，提供单色墨水。