[发明专利]存储装置和制造存储装置的方法在审

专利信息
申请号: 202110902059.X 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN114551461A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 朴珠用;金灿镐;郭判硕;边大锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11548 分类号: H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L25/18;H01L23/544;H01L21/60
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种存储装置,所述存储装置包括:

存储芯片,所述存储芯片包括:

存储单元阵列,所述存储单元阵列连接到第一字线和第一位线,

第一字线接合焊盘,所述第一字线接合焊盘分别连接到所述第一字线,以及

第一位线接合焊盘,所述第一位线接合焊盘分别连接到所述第一位线;以及

外围电路芯片,其中,所述外围电路芯片包括:

测试单元阵列,所述测试单元阵列连接到第二字线和第二位线,

第二字线接合焊盘,所述第二字线接合焊盘分别连接到所述第一字线接合焊盘,

第二位线接合焊盘,所述第二位线接合焊盘分别连接到所述第一位线接合焊盘,以及

外围电路,所述外围电路连接到所述第二字线接合焊盘和所述第二字线,或连接到所述第二位线接合焊盘和所述第二位线。

2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述外围电路芯片经由所述第一字线接合焊盘和所述第二字线接合焊盘以及所述第一位线接合焊盘和所述第二位线接合焊盘垂直地连接到所述存储芯片。

3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,

所述存储单元阵列包括具有多个存储块的三维单元阵列,并且

所述多个存储块中的每个存储块包括多个垂直NAND串。

4.根据权利要求1所述的存储装置,其中,

所述测试单元阵列包括具有至少一个测试块的二维单元阵列,并且

所述至少一个测试块包括多个平面NAND串。

5.根据权利要求4所述的存储装置,其中,所述外围电路芯片被配置为在所述外围电路芯片通过了电裸片分选工艺之后被接合到所述存储芯片,其中所述电裸片分选工艺检查所述测试单元阵列和所述外围电路是否进行电操作。

6.根据权利要求5所述的存储装置,其中,所述测试单元阵列还包括至少一个信息数据块,所述至少一个信息数据块存储通过所述电裸片分选工艺设置的信息数据。

7.根据权利要求6所述的存储装置,其中,所述存储芯片被配置为在所述存储芯片接合到所述外围电路芯片之后,对所述至少一个信息数据块执行信息数据读取操作。

8.一种存储装置,所述存储装置包括:

存储芯片,所述存储芯片包括存储单元阵列和第一接合焊盘,其中,所述存储单元阵列包括多个存储块,每个所述存储块包括多个垂直NAND串;

外围电路芯片,所述外围电路芯片包括测试单元阵列,所述测试单元阵列包括:

至少一个测试块,所述至少一个测试块包括多个平面NAND串,

外围电路,所述外围电路连接到所述测试单元阵列,以及

第二接合焊盘,

其中,所述外围电路芯片经由所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘垂直地连接到所述存储芯片。

9.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述第一接合焊盘包括:

多个第一字线接合焊盘,所述多个第一字线接合焊盘分别连接到与所述存储单元阵列连接的第一字线;以及

多个第一位线接合焊盘,所述多个第一位线接合焊盘分别连接到与所述存储单元阵列连接的第一位线。

10.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述第二接合焊盘包括:

多个第二字线接合焊盘,所述多个第二字线接合焊盘分别连接到与所述测试单元阵列连接的第二字线;以及

多个第二位线接合焊盘,所述多个第二位线接合焊盘分别连接到与所述测试单元阵列连接的第二位线。

11.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述外围电路芯片被配置为在所述外围电路芯片通过了电裸片分选工艺之后被接合到所述存储芯片,其中,所述电裸片分选工艺检查所述测试单元阵列和所述外围电路是否进行电操作。

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