[发明专利]高频开关整流吸收电路瞬态模型及电路参数测试方法在审
申请号: | 202110902015.7 | 申请日: | 2021-08-06 |
公开(公告)号: | CN113824299A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 游伏生;罗赞兴 | 申请(专利权)人: | 东莞市迈思普电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M7/06;G01R31/28 |
代理公司: | 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 李朦 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 开关 整流 吸收 电路 瞬态 模型 参数 测试 方法 | ||
1.高频开关整流吸收电路瞬态模型,包括信号电压Vin,其特征在于:所述信号电压串联接有电阻R1、电感L和电容Ce,所述电容Ce上并联接有整流二极管D1/D2,所述整流二极管D1/D2上并联接有电容C2和电阻R2。
2.高频开关整流吸收电路参数测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将R2短路,C2开路,测试整流D1/D2的反向电压的最大电压Voff和震荡频率f0,所述震荡频率f0的计算公式为
S2、将R2短路,逐渐增加电容C2,使得震荡频率f=f0/2;
S3、计算寄生电容Ce和寄生电感L,所述寄生电容Ce的计算公式为Ce=C2/3,所述寄生电感L的计算公式为L=1/Ce(2nfo)2;
S4、计算吸收电阻R2和吸收电容C2,所述吸收电阻R2的计算公式为所述吸收电容C2的计算公式为其中Va为预计的电压复幅度。
3.根据权利要求3所述的高频开关整流吸收电路参数测试方法,其特征在于:所述Va的数值为Vin的1.1-1.3倍。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置