[发明专利]离子注入装置及离子束被照射体

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；

射束线，构成为支承具有第1被照射区域及第2被照射区域的离子束被照射体；及

控制装置，其构成为，在所述离子束的能量位于第1能量区域时选择所述第1被照射区域，在所述离子束的能量位于比所述第1能量区域高的第2能量区域时选择所述第2被照射区域，

所述射束线具备相对位置调整机构，该相对位置调整机构构成为，以使所述第1非放射性核种的离子入射到所选择的所述被照射区域的方式，调整所述离子束被照射体与所述离子束之间的相对位置，

所述第1被照射区域由包含与所述第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的第1固体材料形成，

所述第2被照射区域由以比所述第1固体材料低的浓度包含所述第2非放射性核种或不包含所述第2非放射性核种的第2固体材料形成。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1非放射性核种与所述第2非放射性核种为，在所述离子束入射至所述离子束被照射体时，通过所述第1非放射性核种与所述第2非放射性核种的核反应能够产生放射线或者放射性核种。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1非放射性核种为¹¹B或¹⁰B，所述第2非放射性核种为¹²C。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

还具备加速器，该加速器能够将通过所述离子源生成的所述离子束加速为至少4MeV的超高能量。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2被照射区域具备母材及支承于母材的表层部，所述表层部由所述第2固体材料形成。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2固体材料包含原子序数大于所述第2非放射性核种的元素。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具备与所述第1非放射性核种不同的离子种类用的被照射区域，

所述控制装置构成为，对于不包含所述第1非放射性核种的离子束，选择所述不同的离子种类用的被照射区域。

8.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

射束线，构成为支承离子束被照射体，该离子束被照射体具有分配为加速为第1能量区域的离子束用的第1被照射区域以及分配为加速为比所述第1能量区域高的第2能量区域的离子束用的第2被照射区域；及

控制装置，其构成为，在入射至所述离子束被照射体的离子束的能量位于第1能量区域时选择所述第1被照射区域，在所述离子束的能量位于所述第2能量区域时选择所述第2被照射区域，

所述射束线具备相对位置调整机构，该相对位置调整机构构成为，以使所述离子束入射到所选择的所述被照射区域的方式，调整所述离子束被照射体与所述离子束之间的相对位置。

9.根据权利要求8所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2能量区域位于4MeV以上的超高能量区域。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具备分配为加速为所述第1能量区域的离子束用的多个第1被照射区域，所述多个第1被照射区域分别被分配不同能量的离子束。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具备分配为加速为所述第2能量区域的离子束用的多个第2被照射区域，所述多个第2被照射区域分别被分配不同能量的离子束。