[发明专利]一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法

权利要求书

1.一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)、生长外延层：根据MOSFET的特性需求选择合适的外延圆片，该圆片由低范围电阻率的基片(1)和定值电阻率的外延层(2)组成，在基片上进行外延生长形成一外延层；

(2)、淀积掩蔽层：在外延层上生长一层掩蔽层(3)；

(3)、淀积光刻胶：在掩蔽层上淀积一层光刻胶(4)；

(4)、沟槽光刻：进行沟槽光刻，并对光刻胶和掩蔽层进行刻蚀，刻蚀出沟槽刻蚀窗口(5)；

(5)、沟槽刻蚀：去除光刻胶，对沟槽刻蚀窗口进行深沟槽刻蚀，在掩蔽层的掩蔽作用下形成深沟槽(6)；

(6)、掩蔽层移除：去除掩蔽层，对外延层表面进行牺牲氧化，并去掉氧化层；

(7)、场氧化层生长：生长氧化层，在深沟槽侧壁、底部和外延层表面生长出一层场氧化层(7)；

(8)、屏蔽栅多晶硅填充：淀积屏蔽栅多晶硅(8)，屏蔽栅多晶硅将深沟槽填充满，同时在外延层表面淀积一层屏蔽栅多晶硅；

(9)、屏蔽栅多晶硅刻蚀：对屏蔽栅多晶硅进行刻蚀，至深沟槽内屏蔽栅多晶硅与硅表面齐平；

(10)、场氧化层沟槽光刻：在深沟槽的两端，沿垂直深沟槽方向将场氧化层刻蚀出一道浅沟槽(12)，浅沟槽的底部至硅表面；

(11)、场氧化层浅沟槽填充形成掩膜层(9)：用氮化硅填充场氧化层浅沟槽，场氧化层表面覆盖氮化硅形成掩膜层；

(12)、场氧化层掩膜层光刻：先将未被光刻胶覆盖的掩膜层刻蚀掉，接着刻蚀场氧化层，深沟槽中的场氧化层刻蚀后低于屏蔽栅表面，形成栅沟槽；最后将未刻蚀的掩膜层去除掉；

(13)、生长栅氧化层：在栅沟槽两边侧壁以及硅表面形成栅氧化层(10)；

(14)、淀积栅多晶硅并刻蚀：在栅氧化层上淀积栅多晶硅(11)，使得栅沟槽中充满栅多晶硅，对栅多晶硅进行刻蚀，使得栅多晶硅低于硅表面并形成MOSFET的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中MOSFET为100V NMOS，低范围电阻率为0.001～0.003Ohm.cm，外延层的定值电阻率为0.3Ohm.cm。

3.根据权利要求1所述的一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中掩蔽层材料为氧化硅、氮化硅中任一或者两者组合。

4.根据权利要求1所述的一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中深沟槽的深度为3～6um。

5.根据权利要求1所述的一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于：所述步骤(12)中场氧化层刻蚀后低于屏蔽栅表面的距离为0.8um～1.3um。

6.根据权利要求1所述的一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于：所述步骤(12)中刻蚀掩膜层采用干法刻蚀工艺，刻蚀场氧化层采用湿法刻蚀工艺。

7.根据权利要求1所述的一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于：所述步骤(14)中栅多晶硅低于硅表面的距离为0.05um～0.15um。

8.根据权利要求1所述的一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，其特征在于：所述步骤(14)完成后进行阱区/源区离子注入，淀积介质层，接触孔刻蚀，淀积金属，淀积钝化层，背面金属镀层形成漏极。