[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110900149.5 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN114284238A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 骆冠宇;杨士亿;李明翰;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一第一下层金属线和一第二下层金属线，在在一基板上方的一第一介电层中；以及
一第一金属部件和一第二金属部件，在在该第一介电层上方的一第二介电层中，该第一金属部件在该第一下层金属线上方并与之连接，该第二金属部件在该第二下层金属线上方并与之连接，
其中该第一金属部件具有一第一尺寸，该第二金属部件具有一第二尺寸，该第二尺寸大于该第一尺寸，
其中该第一金属部件包括具有一第一平均自由路径的一第一金属，该第二金属部件包括具有一第二平均自由路径的一第二金属，以及
其中该第一尺寸小于该第二尺寸，且该第一平均自由路径小于该第二平均自由路径。
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