[发明专利]阵列基板及显示面板在审

专利信息
申请号: 202110899686.2 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN113690306A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 李波 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/24;H01L29/786;H01L27/32;G09G3/3208
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨瑞
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括阵列设置的多个像素,所述像素包括驱动晶体管、数据写入晶体管、复位晶体管、补偿晶体管和发光元件,所述驱动晶体管和所述数据写入晶体管为第一类晶体管,所述复位晶体管和所述补偿晶体管为第二类晶体管;

所述阵列基板包括自下而上层叠设置的基底、第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层,所述第一半导体层包括各第一类晶体管的有源层,所述第二半导体层包括各第二类晶体管的有源层;

其中,所述第一金属层包括各第一类晶体管的顶栅极,所述第二金属层包括第一主扫描线和第二主扫描线,所述第三金属层包括第一次扫描线和第二次扫描线,所述第一主扫描线包括所述复位晶体管的底栅极,所述第一次扫描线包括所述复位晶体管的顶栅极,所述第二主扫描线包括所述补偿晶体管的底栅极,所述第二次扫描线包括所述补偿晶体管的顶栅极。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一类晶体管为多晶硅晶体管,所述第二类晶体管为氧化物晶体管。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一主扫描线在所述基底上的正投影和所述第一次扫描线在所述基底上的正投影至少部分重叠;

所述第二主扫描线在所述基底上的正投影和第二次扫描线在所述基底上的正投影至少部分重叠。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述补偿晶体管的有源层和所述复位晶体管的有源层为相互连接的一体结构,所述补偿晶体管和所述复位晶体管之间的所述第二半导体层的材料被导体化。

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括存储电容,所述存储电容与所述驱动晶体管电连接;

所述第一金属层包括存储电容的第一电容电极,所述第二金属层包括所述存储电容的第二电容电极。

6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括设于所述第三金属层远离所述基底一侧的第四金属层,所述第四金属层包括数据线和第一电源线。

7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,还包括设于所述第四金属层远离所述基底一侧的第五金属层,所述第五金属包括第二电源线,所述第二电源线与所述第一电源线电连接,所述第二电源线的延伸方向与所述第一电源线的延伸方向相同,所述第二电源线在所述基底上的正投影与所述第一电源线在所述基底上的正投影至少部分重叠。

8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电源线还包括一凸出部,所述凸出部在所述基底上的正投影覆盖所述驱动晶体管、所述补偿晶体管和所述复位晶体管在所述基底上的正投影。

9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述像素还包括:

重置晶体管、第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管,所述重置晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管为第一类晶体管。

10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板,所述阵列基板还包括像素定义层,所述发光元件设置于所述像素定义层的开口内,所述显示面板还包括设于所述发光元件上的封装层。

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