[发明专利]防冻液污染单片性能恢复方法、控制方法、介质及设备

权利要求书

1.一种防冻液污染单片性能恢复方法，其特征在于，包括

判断最低单片电压V，若V1＜V＜V2，则系统执行输出电流进行降载，降至当前电流的一半，降载完成后重新判断；若V＜V1，则恢复失败；若V＞V2，且在t1内V不断上升，若在t1内升至V3及以上，则进行加载；

当电流加载至I1时停止，并持续运行t1，若V4＜V＜V5，则加载至I2，I1至I2加载过程中，同时判断加载过程总时长是否大于t2、V是否大于V1小于V3，若二者满足任意一个，则降载至I1；若二者均不满足，则待加载至I2后，若V＞V5，则恢复成功，若V≤V5，则进行整个恢复过程的累计时长判断，若累计时长＞t3，则恢复失败；若累计时长＜t3，则重新判断在V在t1内是否升至V3及以上。

2.根据权利要求1所述的防冻液污染单片性能恢复方法，其特征在于，若第一次加载至I1时，则无运行时长限制，直接进行最低单片电压V判断，第二次加载至I1时，需在此点持续运行t1后再进行最低单片电压V判断。

3.根据权利要求1所述的防冻液污染单片性能恢复方法，其特征在于，加载至I2过程中，保证最低单片电压V高于V6；若低于V6，保持当前工况点，待V＞V6，继续加载至I2，当该加载过程时长为t2时，停止加载，降载至I1。

4.根据权利要求3所述的防冻液污染单片性能恢复方法，其特征在于，所述V1为单片反极的保护阈值，所述V3、V4、V5、V6根据系统控制故障阈值进行设定。

5.根据权利要求1所述的防冻液污染单片性能恢复方法，其特征在于，所述t3为30min。

6.根据权利要求1所述的防冻液污染单片性能恢复方法，其特征在于，V在t1内升至V3及以上，则进行加载，加载速率设为aA/s；

加载至I2的限制加载速率为aA/s。

7.一种防冻液污染单片性能恢复控制方法，其特征在于，包括

系统开机，加载目标功率获取系统当前运行工况点及各个单片电压；判断系统是否已加载至目标工况点或最低单片电压是否小于故障阈值，若无法加载至目标工况点或最低单片电压小于故障阈值，则进入单片恢复模式，所述单片恢复模式执行权利要求1-6任意一项所述的防冻液污染单片性能恢复方法；

若单片性能恢复成功则退出单片恢复模式，系统响应目标功率正常运行；若单片性能恢复失败则系统关机。

8.根据权利要求7所述的防冻液污染单片性能恢复控制方法，其特征在于，若无法加载至目标工况点或最低单片电压小于故障阈值，且最低单片电压与平均单片电压差值大于预设值n，最低单片号固定，则认为符合存在防冻液污染问题。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现权利要求1-6任意一项所述的防冻液污染单片性能恢复方法和/或权利要求7-8任意一项所述的防冻液污染单片性能恢复控制方法。

10.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1-6任意一项所述的防冻液污染单片性能恢复方法和/或权利要求7-8任意一项所述的防冻液污染单片性能恢复控制方法。