[发明专利]钝化接触结构、其制备方法以及其应用的太阳能电池

权利要求书

1.一种用于太阳能电池的钝化接触结构，包括：

隧穿层；

透明导电膜，位于所述隧穿层上且与所述隧穿层接触；

覆盖层，位于所述透明导电膜上；以及

金属电极，穿过所述覆盖层而接触所述透明导电膜，所述金属电极的端面位于所述透明导电膜中。

2.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述透明导电膜是第一掺杂类型的透明导电膜。

3.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，还包括：

衬底；

第一掺杂类型的第一半导体层，位于所述衬底上，其中所述隧穿层位于所述第一半导体层上。

4.如权利要求2或3所述的钝化接触结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型。

5.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述隧穿层的厚度在0.5-3nm之间。

6.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述透明导电膜的厚度在10-300nm之间。

7.如权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述透明导电膜的材料为氧化锌，氧化锡，氧化钛其中的一种。

8.一种太阳能电池，包括如权利要求1-7任一项所述的钝化接触结构。

9.一种用于太阳能电池的钝化接触结构的制备方法，包括以下步骤：

形成隧穿层；

在所述隧穿层上形成透明导电膜；

在所述透明导电膜上形成覆盖层；以及

形成穿过所述覆盖层而接触所述透明导电膜的金属电极，所述金属电极的端面停留在所述透明导电膜中。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在衬底上形成第一掺杂类型的半导体层，其中所述隧穿层形成于所述半导体层上。