[发明专利]高线性度低噪声放大器在审
| 申请号： | 202110896777.0 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113595512A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 穆斯塔法·埃尔马拉;艾哈迈德·埃米拉;穆罕默德·阿布迪纳 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/32;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线性 低噪声放大器 | ||
1.一种放大器电路，包括：
输入端，被配置为接收输入信号；
输出端，被配置为传输输出信号；
第一信号路径，包括第一放大电路，其中所述第一放大电路被配置为接收所述输入信号并将第一经放大的输出传输到输出端，并且其中所述第一经放大的输出包括第一放大器电路谐波噪声；
第二信号路径，包括第二放大电路，其中所述第二放大电路被配置为接收所述输入信号并将第二经放大的输出传输到输出端，并且其中所述第二经放大的输出包括第二放大器电路谐波噪声；
其中所述输出信号包括所述第一经放大的输出和所述第二经放大的输出，并且其中在所述输出信号中所述第一放大电路谐波噪声至少部分地被所述第二放大电路谐波噪声抵消。
2.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括输入电容器，被配置为将所述输入信号耦合到所述第一信号路径和所述第二信号路径中的每个。
3.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括输入电容器，被配置为将所述输入信号耦合到所述第一放大电路和所述第二放大电路中的每个。
4.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述第一放大电路包括第一反相电路，并且其中所述第二放大电路包括第二反相电路。
5.根据权利要求4所述的放大器电路，其中，
所述第一反相电路包括：
第一反相器输入，
第一反相器输出，和
第一反馈组件，所述第一反馈组件连接到所述第一反相器输入和所述第一反相器输出；并且
所述第二反相电路包括：
第二反相器输入，
第二反相器输出，和
第二反馈组件，所述第二反馈组件连接到所述第二反相器输入和所述第二反相器输出。
6.根据权利要求5所述的放大器电路，其中，
所述第一反相电路包括：
一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，以及
一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且
所述第二反相电路包括：
一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，以及
一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，
其中所述第一PMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二PMOS器件的单位宽度的跨导，并且
其中所述第一NMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二NMOS器件的单位宽度的跨导。
7.根据权利要求5所述的放大器电路，其中，
所述第一反相电路包括：
一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，以及
一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且
所述第二反相电路包括：
一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，以及
一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，
其中所述第一PMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二PMOS器件的漏极和源极之间的电压差，并且
其中，所述第一NMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二NMOS器件的漏极和源极之间的电压差。
8.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述第一信号路径包括第一输出电容器，其中所述第一输出电容器被配置为将所述第一经放大的输出耦合到所述输出端；并且
所述第二信号路径包括第二输出电容器，其中所述第二输出电容器被配置为将第二经放大的输出耦合到所述输出端。
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